SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET은.전력 전자 애플리케이션을 위한 고성능 솔루션을 제공합니다. 이 MOSFET은 뛰어난 전기적 특성을 보여주고 스위칭 손실이 매우 낮아 효율적인 작동을 가능하게 합니다. 1200V G2 MOSFET은 과부하 조건에 맞춰 설계되어 최대 200°C까지에서 작동을 지원하고 최대 2µs동안 단락을 견딜 수 있습니다. 이 소자는 4.2V 벤치마크 게이트 임계 전압 V_GS(th)가 특징이며 정밀한 제어를 보장합니다. CoolSiC MOSFET 1200V G2는 1세대 기술의 강점을 기반으로 하는 세 가지 패키지로 제공되어 더욱 비용 최적화되고 효율적이며 컴팩트하고 설계하기 쉽고 안정적인 시스템을 위한 고급 솔루션을 제공합니다. 2세대는 하드/소프트 스위칭 토폴로지의 주요 성능 수치를 크게 개선하여 모든 일반적인 DC-DC, AC-DC 및 DC-AC 단계 조합에 이상적입니다.

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결과: 45

적용된 필터:

장착 스타일

패키지/케이스

트랜지스터 극성

채널 수

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최저 작동온도

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

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부품 번호

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩28,256.8
198재고 상태
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IMY120R018CM2HXKSA1

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726-IMY120R018CM2HXK

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SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

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198재고 상태

₩28,256.8

₩22,997.6

₩19,167.2

₩16,780.8

견적

최소: 1
배수: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

73 nC

- 40 C

+ 175 C

356 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩19,182.4
235재고 상태
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235재고 상태

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₩12,509.6

₩10,944

₩10,412

최소: 1
배수: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

171 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036CM2HXKSA1
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1: ₩18,711.2
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SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

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225재고 상태

₩18,711.2

₩14,637.6

₩12,205.6

₩10,685.6

₩10,153.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
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1: ₩40,477.6
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SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
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1: ₩30,552
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SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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₩30,552

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Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R026M2HXKSA1
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1: ₩22,708.8
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SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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₩22,708.8

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₩12,372.8

최소: 1
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Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

34 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩62,593.6
302재고 상태
480예상 2026-06-18
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SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

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302재고 상태

480예상 2026-06-18

₩62,593.6

₩53,397.6

₩46,709.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩26,204.8
111재고 상태
240예상 2026-06-11
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SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

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111재고 상태

240예상 2026-06-11

₩26,204.8

₩16,157.6

최소: 1
배수: 1
최대: 20

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩19,060.8
138재고 상태
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IMZA120R034M2HXKSA1

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SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

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138재고 상태

₩19,060.8

₩11,445.6

최소: 1
배수: 1
최대: 20

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩18,148.8
137재고 상태
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IMZA120R040M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZA120R040M2HXK

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Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

137재고 상태

₩18,148.8

₩10,837.6

₩9,241.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

51 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ₩64,767.2
621재고 상태
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제조업체 부품 번호
IMSQ120R012M2HHXUMA1

Mouser 부품 번호
726-IMSQ120R012M2HHX

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Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

621재고 상태

컷 테이프

₩64,767.2

₩51,102.4

₩47,712.8

릴

₩47,712.8

최소: 1
배수: 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩26,204.8
1,705재고 상태
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제조업체 부품 번호
IMZC120R022M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R022M2HXK

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

1,705재고 상태

₩26,204.8

₩16,157.6

최소: 1
배수: 1
최대: 50

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩21,462.4
1,855재고 상태
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제조업체 부품 번호
IMCQ120R026M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R026M2HXT

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

1,855재고 상태

컷 테이프

₩21,462.4

₩15,230.4

₩12,524.8

₩12,281.6

릴

₩11,704

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩17,328
574재고 상태
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제조업체 부품 번호
IMCQ120R034M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R034M2HXT

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

574재고 상태

컷 테이프

₩17,328

₩12,175.2

₩9,834.4

₩9,180.8

릴

₩9,180.8

최소: 1
배수: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩17,130.4
270재고 상태
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제조업체 부품 번호
IMCQ120R040M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R040M2HXT

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

270재고 상태

컷 테이프

₩17,130.4

₩11,840.8

₩9,180.8

₩8,572.8

릴

₩8,572.8

최소: 1
배수: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩14,303.2
377재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMCQ120R053M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R053M2HXT

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

377재고 상태

컷 테이프

₩14,303.2

₩9,454.4

₩7,296

₩6,809.6

릴

₩6,809.6

최소: 1
배수: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩12,616
919재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMCQ120R078M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R078M2HXT

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

919재고 상태

컷 테이프

₩12,616

₩8,572.8

₩6,277.6

₩5,730.4

릴

₩5,730.4

최소: 1
배수: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ₩35,720
712재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMSQ120R026M2HHXUMA1

Mouser 부품 번호
726-IMSQ120R026M2HHX

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

712재고 상태

컷 테이프

₩35,720

₩26,174.4

₩24,183.2

₩22,587.2

릴

₩22,587.2

최소: 1
배수: 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ₩28,211.2
670재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMSQ120R040M2HHXUMA1

Mouser 부품 번호
726-IMSQ120R040M2HHX

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

670재고 상태

컷 테이프

₩28,211.2

₩20,292

₩17,890.4

₩16,765.6

릴

₩16,765.6

최소: 1
배수: 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R053M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ₩24,092
331재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMSQ120R053M2HHXUMA1

Mouser 부품 번호
726-IMSQ120R053M2HHX

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

331재고 상태

컷 테이프

₩24,092

₩17,130.4

₩14,470.4

₩13,512.8

릴

₩13,512.8

최소: 1
배수: 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩40,477.6
296재고 상태
480예상 2026-06-18
신제품

제조업체 부품 번호
IMZC120R012M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R012M2HXK

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Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

296재고 상태

480예상 2026-06-18

₩40,477.6

₩25,931.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩30,552
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제조업체 부품 번호
IMZC120R017M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R017M2HXK

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Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

654재고 상태

₩30,552

₩19,106.4

최소: 1
배수: 1
최대: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩22,708.8
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제조업체 부품 번호
IMZC120R026M2HXKSA1

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726-IMZC120R026M2HXK

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Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

553재고 상태

₩22,708.8

₩13,832

최소: 1
배수: 1
최대: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩18,756.8
827재고 상태
240예상 2026-06-11
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제조업체 부품 번호
IMZC120R034M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R034M2HXK

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

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827재고 상태

240예상 2026-06-11

₩18,756.8

₩11,445.6

최소: 1
배수: 1
최대: 70

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩13,999.2
804재고 상태
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제조업체 부품 번호
IMZC120R053M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R053M2HXK

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

804재고 상태

₩13,999.2

₩8,253.6

₩7,463.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

고객 서비스 센터

회사

참고 자료

지원

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W