CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET은.전력 전자 애플리케이션을 위한 고성능 솔루션을 제공합니다. 이 MOSFET은 뛰어난 전기적 특성을 보여주고 스위칭 손실이 매우 낮아 효율적인 작동을 가능하게 합니다. 1200V G2 MOSFET은 과부하 조건에 맞춰 설계되어 최대 200°C까지에서 작동을 지원하고 최대 2µs동안 단락을 견딜 수 있습니다. 이 소자는 4.2V 벤치마크 게이트 임계 전압 VGS(th)가 특징이며 정밀한 제어를 보장합니다. CoolSiC MOSFET 1200V G2는 1세대 기술의 강점을 기반으로 하는 세 가지 패키지로 제공되어 더욱 비용 최적화되고 효율적이며 컴팩트하고 설계하기 쉽고 안정적인 시스템을 위한 고급 솔루션을 제공합니다. 2세대는 하드/소프트 스위칭 토폴로지의 주요 성능 수치를 크게 개선하여 모든 일반적인 DC-DC, AC-DC 및 DC-AC 단계 조합에 이상적입니다.

결과: 42
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
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187재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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376재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 403 A 10.4 mOhms - 10 V, 25 V 5.1 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
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833재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 750

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
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578재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 750

1.2 kV
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
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492재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 750

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
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492재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 750

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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1,988재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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649재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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452재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 104 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 42.4 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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405재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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570재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
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666재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 750

1.2 kV
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
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682재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 750

1.2 kV
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
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404재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 750

1.2 kV
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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150재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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190재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
데이터시트
230재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 34 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
데이터시트
150재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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188재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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161재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 51 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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237재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 69 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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198재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 103 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
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664재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
데이터시트
706재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
데이터시트
683재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC