SCT018W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018W65G3-4AG
Price: 23199 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-SCT018W65G3-4AG

제조업체 번호:

SCT018W65G3-4AG

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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데이터시트:

SCT018W65G3-4AG 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩16,921.4	₩10,152,840
1,200	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	HiP-247-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	55 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	27 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.2 V
Qg - 게이트 전하:	77 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 200 C
Pd - 전력 발산:	398 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
하강 시간:	29 ns
포장:	Tube
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	13 ns
팩토리 팩 수량:	600
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
표준 턴-오프 지연 시간:	64 ns
표준 턴-온 지연 시간:	24.5 ns

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ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.

SCTWA90N65G2Vx 650V 전력 MOSFET

STMicroelectronics SCTWA90N65G2Vx 650V 전력 MOSFET은 18mΩ(표준) 및 119A 정격 전류를 제공하는 SiC(탄화 규소) MOSFET입니다. 이 전력 MOSFET은 HiP247 및 HiP247-4 패키지로 제공됩니다. SCTWA90N65G2Vx 650V 전력 MOSFET은 매우 낮은 게이트 전하와 입력 정전용량, 고속 스위칭 성능 및 효율 향상을 위한 소스 감지 핀을 갖추고 있습니다. 이 MOSFET은 ST의 첨단 혁신적인 2세대 SiC MOSFET 기술을 사용하여 개발되었습니다. 재생 에너지 시스템용 전원 공급 장치, 고주파 DC/DC 변환기, 충전 스테이션, 스위칭 모드 전원 공급 장치, DC/DC 변환기 및 산업용 모터 제어에 사용됩니다.

650 SiC(탄화규소) MOSFET

STMicroelectronics 650 SiC(Silicon-Carbide) MOSFET는 우수한 스위칭 성능과 함께 면적 당 매우 낮은 온 상태 저항(R_DS(on))을 제공합니다. 이는 보다 효율적이고 콤팩트한 시스템으로 해석됩니다.실리콘 MOSFET에 비해, SiC MOSFET는 고온에서도 면적 당 낮은 온 상태 저항을 제공합니다. SiC MOSFET는 또한 모든 온도 범위에서 동급 최고의 IGBT에 비해 뛰어난 스위칭 성능을 제공합니다. 이는 전력 전자 시스템의 열 설계를 간소화합니다.