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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 게이트-이미터 누설 전류 Pd - 전력 발산 패키지/케이스 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 600 A dual IGBT module 12재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 IGBT Module 1400A 1700V 4재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 9.55 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 450 A dual IGBT module 17재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 PP IHM I 112재고 상태
90예상 2026-06-11
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 7.65 kW PRIME3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 100 A PIM IGBT module 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FS450R17OE4
Infineon Technologies IGBT 모듈 IGBT Module 450A 1700V 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules 6-Pack 1.7 kV 1.95 V 630 A 400 nA 2.4 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 900 A dual IGBT module
20예상 2026-04-28
최소: 1
배수: 1
없음
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 10 A PIM IGBT module 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA AG-EASY1B-2 - 40 C + 175 C Tray