OptiMOS™ 5 전력 MOSFET

Infineon의 OptiMOS™ 5 전력 MOSFET는 시스템 비용을 줄이면서 향상된 시스템 효율 요구사항에 부합하도록 설계되었습니다. 이 장치는 대체 장치 대비 낮은 RDS(on)와 성능 지수(RDS(on) x Qg)가 특징입니다. 새로운 실리콘 기술을 사용하여 설계된 이 장치는 에너지 효율 및 전력 밀도 요구 사항에 부합하고 이를 능가하도록 최적화되었습니다. 이 MOSFET는 컴퓨팅 업계에서 서버, 데이터 통신, 클라이언트 애플리케이션용으로 주로 사용됩니다. 스위치 모드 전원장치(SMPS)의 동기식 정류 및 모터 제어, 태양광 마이크로 인버터, 고속 스위칭 DC/DC 변환기 애플리케이션에도 사용될 수 있습니다.

결과: 81
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장


Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 3,601재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 311 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 2,818재고 상태
3,600예상 2026-03-19
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 365 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 211 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 4,717재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 445 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 120 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 3,887재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 4,353재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 273 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 107 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 4,903재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 789 A 290 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 88 nC - 55 C + 150 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 2,450재고 상태
5,000예상 2026-08-06
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 30 V 700 A 350 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 91 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 5,175재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 447 A 860 uOhms - 10 V, 10 V 1.1 V 76 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 9,164재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 47 A 580 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 82 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 2,648재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 47 A 580 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 82 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 4,491재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 53 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 3,518재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 5,922재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 3,298재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2,664재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 3,300재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 6,780재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 275 A 1.55 mOhms - 20 V, 20 V 3.45 V 90 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 3,835재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 198 A 2.55 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 2,708재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 60 V 233 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 2,498재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 454 A 750 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 209 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package 209재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 500재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V 290재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 394 A 1.47 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 137 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V 300재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 339 A 1.72 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 115 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V) 13,003재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel