OptiMOS™ 5 전력 MOSFET

Infineon의 OptiMOS™ 5 전력 MOSFET는 시스템 비용을 줄이면서 향상된 시스템 효율 요구사항에 부합하도록 설계되었습니다. 이 장치는 대체 장치 대비 낮은 RDS(on)와 성능 지수(RDS(on) x Qg)가 특징입니다. 새로운 실리콘 기술을 사용하여 설계된 이 장치는 에너지 효율 및 전력 밀도 요구 사항에 부합하고 이를 능가하도록 최적화되었습니다. 이 MOSFET는 컴퓨팅 업계에서 서버, 데이터 통신, 클라이언트 애플리케이션용으로 주로 사용됩니다. 스위치 모드 전원장치(SMPS)의 동기식 정류 및 모터 제어, 태양광 마이크로 인버터, 고속 스위칭 DC/DC 변환기 애플리케이션에도 사용될 수 있습니다.

결과: 86
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 5,268재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 1,553재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 49 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2,738재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 9,114재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 275 A 1.55 mOhms - 20 V, 20 V 3.45 V 90 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 5,217재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 198 A 2.55 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 113,995재고 상태
95,000예상 2027-08-05
최소: 1
배수: 1
최대: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 28 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2,335재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 333 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.1 V 158 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 434재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 87재고 상태
6,000예상 2027-03-11
최소: 1
배수: 1
: 6,000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 929재고 상태
6,000예상 2027-01-28
최소: 1
배수: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 107재고 상태
6,000예상 2027-01-28
최소: 1
배수: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V 290재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 394 A 1.47 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 137 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V 300재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 339 A 1.72 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 115 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 195재고 상태
3,000예상 2026-09-04
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 60 V 233 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 21,158재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 72 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 11.1 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS 17,545재고 상태
20,000예상 2026-11-19
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 149 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS 14,080재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 100 V, N-Ch, 1.4 m max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12), OptiMOS-5 884재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800
Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 166 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V) 9,351재고 상태
40,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 2,615재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 78 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 2,640재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 143 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 55 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 2,092재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 253 A 850 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 64 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS Power-Transistor,60V 826재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 84 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 615재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP076N15N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 247재고 상태
1,500주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 112 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube