CoolSiC™ 650V G2 탄화 규소 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2 탄화 규소 MOSFET은 탄화 규소의 성능을 활용하여 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 더 높은 효율을 제공합니다.Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFET은 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이버, 산업용 전원 공급 장치와 같은 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 이점을 제공합니다.  CoolSiC G2를 탑재한 전기 자동차용 DC 고속 충전소 이전 세대보다 전력 손실을 최대 10% 줄이면서 폼 팩터를 손상시키지 않고 더 높은 충전 용량을 구현합니다.

결과: 53
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
1,680예상 2026-06-18
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
데이터시트
6,960주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
480재고 상태
240예상 2026-06-11
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC