CoolSiC™ 650V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2 실리콘 카바이드 MOSFET은 실리콘 카바이드의 성능을 활용하여 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 더 높은 효율을 제공합니다.Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFET은 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이버, 산업용 전원 공급 장치와 같은 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 이점을 제공합니다.  CoolSiC G2가 장착된 전기 자동차용 DC 고속 충전소는 이전 세대보다 최대 10% 낮은 전력 손실을 실현하는 동시에 폼팩터를 유지한 상태에서 더 높은 충전 용량을 지원합니다.

결과: 53
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
데이터시트
6,480주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
15,600주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
480예상 2027-02-18
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 103 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC