CoolSiC™ 650V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 650V G2 실리콘 카바이드 MOSFET은 실리콘 카바이드의 성능을 활용하여 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 시 더 높은 효율을 제공합니다.Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFET은 태양광, 에너지 저장, DC EV 충전, 모터 드라이버, 산업용 전원 공급 장치와 같은 다양한 전력 반도체 애플리케이션에 이점을 제공합니다.  CoolSiC G2가 장착된 전기 자동차용 DC 고속 충전소는 이전 세대보다 최대 10% 낮은 전력 손실을 실현하는 동시에 폼팩터를 유지한 상태에서 더 높은 충전 용량을 지원합니다.

결과: 53
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 851재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
769재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
771재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
594재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
218재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
2,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
데이터시트
256재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
데이터시트
950재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
데이터시트
280재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
913재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
528재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
데이터시트
1,659재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
1,001재고 상태
2,000예상 2027-01-28
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
1,440재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
2,508재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
1,002재고 상태
2,000예상 2027-05-25
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
데이터시트
1,968재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
데이터시트
1,712재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
데이터시트
276재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
3,676재고 상태
8,000주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
데이터시트
416재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
11재고 상태
2,250주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
44재고 상태
4,000예상 2027-05-31
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
데이터시트
71재고 상태
480예상 2026-06-29
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
데이터시트
237재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC