|
|
GaN FET EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
- EPC8009
- EPC
-
1:
₩6,716
-
2,500재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC8009
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
|
|
2,500재고 상태
|
|
|
₩6,716
|
|
|
₩4,453
|
|
|
₩3,153.6
|
|
|
₩2,934.6
|
|
|
₩2,774
|
|
|
₩2,379.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
- EPC8010
- EPC
-
1:
₩4,496.8
-
4,990재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC8010
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
|
|
4,990재고 상태
|
|
|
₩4,496.8
|
|
|
₩2,920
|
|
|
₩2,029.4
|
|
|
₩1,708.2
|
|
|
₩1,635.2
|
|
|
₩1,387
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
전원 관리 IC 개발 도구 100 V, 40 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2302
- EPC90133
- EPC
-
1:
₩288,598.2
-
3재고 상태
-
4예상 2026-07-31
|
Mouser 부품 번호
65-EPC90133
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 100 V, 40 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2302
|
|
3재고 상태
4예상 2026-07-31
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2204
- EPC
-
1:
₩4,701.2
-
20,000예상 2026-05-08
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2204
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
20,000예상 2026-05-08
|
|
|
₩4,701.2
|
|
|
₩3,066
|
|
|
₩2,131.6
|
|
|
₩1,810.4
|
|
|
₩1,737.4
|
|
|
₩1,474.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2302
- EPC
-
1:
₩11,534
-
30,000예상 2026-05-08
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2302
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
30,000예상 2026-05-08
|
|
|
₩11,534
|
|
|
₩7,971.6
|
|
|
₩6,146.6
|
|
|
₩5,781.6
|
|
|
₩5,358.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
- EPC2304
- EPC
-
1:
₩12,264
-
15,000예상 2026-04-20
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2304
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
|
|
15,000예상 2026-04-20
|
|
|
₩12,264
|
|
|
₩8,424.2
|
|
|
₩6,599.2
|
|
|
₩6,205
|
|
|
₩5,372.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2361
- EPC
-
1:
₩12,380.8
-
15,000예상 2026-05-08
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2361
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
15,000예상 2026-05-08
|
|
|
₩12,380.8
|
|
|
₩8,497.2
|
|
|
₩6,657.6
|
|
|
₩6,263.4
|
|
|
₩5,431.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
- EPC2367
- EPC
-
1:
₩10,059.4
-
15,000예상 2026-05-08
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2367
신제품
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
|
|
15,000예상 2026-05-08
|
|
|
₩10,059.4
|
|
|
₩6,789
|
|
|
₩5,037
|
|
|
₩4,759.6
|
|
|
₩4,102.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 100V/3A
- EPC9055
- EPC
-
1:
₩285,795
-
10예상 2026-07-31
|
Mouser 부품 번호
65-EPC9055
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 100V/3A
|
|
10예상 2026-07-31
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
- EPC2012C
- EPC
-
1:
₩5,416.6
-
7,500예상 2026-04-20
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2012C
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
|
|
7,500예상 2026-04-20
|
|
|
₩5,416.6
|
|
|
₩3,562.4
|
|
|
₩2,496.6
|
|
|
₩2,190
|
|
|
₩2,102.4
|
|
|
₩1,781.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3
- EPC2066
- EPC
-
1:
₩10,760.2
-
3,000예상 2026-05-08
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2066
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3
|
|
3,000예상 2026-05-08
|
|
|
₩10,760.2
|
|
|
₩7,387.6
|
|
|
₩5,591.8
|
|
|
₩4,555.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
- EPC2088
- EPC
-
1:
₩7,621.2
-
4,998예상 2026-05-08
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2088
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
|
|
4,998예상 2026-05-08
|
|
|
₩7,621.2
|
|
|
₩5,066.2
|
|
|
₩3,620.8
|
|
|
₩3,474.8
|
|
|
₩2,817.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2106
- EPC
-
1:
₩3,883.6
-
2,500예상 2026-05-08
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2106
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
2,500예상 2026-05-08
|
|
|
₩3,883.6
|
|
|
₩2,496.6
|
|
|
₩1,722.8
|
|
|
₩1,385.5
|
|
|
₩1,154.9
|
|
|
보기
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|
|
₩1,353.4
|
|
|
₩1,131.5
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2204A
- EPC
-
1:
₩5,387.4
-
2,500예상 2026-04-20
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2204A
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
2,500예상 2026-04-20
|
|
|
₩5,387.4
|
|
|
₩3,533.2
|
|
|
₩2,467.4
|
|
|
₩2,175.4
|
|
|
₩2,087.8
|
|
|
₩1,766.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
- EPC2207
- EPC
-
1:
₩4,657.4
-
7,500예상 2026-04-20
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2207
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
|
|
7,500예상 2026-04-20
|
|
|
₩4,657.4
|
|
|
₩3,036.8
|
|
|
₩2,117
|
|
|
₩1,795.8
|
|
|
₩1,752
|
|
|
₩1,460
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2214
- EPC
-
1:
₩3,650
-
12,500예상 2026-04-20
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2214
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
12,500예상 2026-04-20
|
|
|
₩3,650
|
|
|
₩2,350.6
|
|
|
₩1,606
|
|
|
₩1,287.7
|
|
|
₩1,074.6
|
|
|
보기
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|
|
₩1,238.1
|
|
|
₩1,039.5
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 80V/10A
- EPC90120
- EPC
-
40:
₩288,598.2
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
65-EPC90120
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 80V/10A
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 40
배수: 1
|
|
|
|
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 350V/4A
- EPC90121
- EPC
-
40:
₩288,598.2
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
65-EPC90121
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 350V/4A
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 40
배수: 1
|
|
|
|
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 80V/40A
- EPC90122
- EPC
-
40:
₩288,598.2
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
65-EPC90122
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 80V/40A
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 40
배수: 1
|
|
|
|
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 100V/25A
- EPC90123
- EPC
-
40:
₩288,598.2
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
65-EPC90123
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 100V/25A
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 40
배수: 1
|
|
|
|
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 200V/8A
- EPC90124
- EPC
-
40:
₩288,598.2
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
65-EPC90124
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 200V/8A
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 40
배수: 1
|
|
|
|
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 40V/25A
- EPC90132
- EPC
-
40:
₩288,598.2
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
65-EPC90132
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 40V/25A
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 40
배수: 1
|
|
|
|
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 100V/45A
- EPC90135
- EPC
-
40:
₩288,598.2
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
65-EPC90135
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 100V/45A
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 40
배수: 1
|
|
|
|
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 80V/25A
- EPC90137
- EPC
-
40:
₩291,985.4
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
65-EPC90137
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 80V/25A
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 40
배수: 1
|
|
|
|
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 100V/5A
- EPC90141
- EPC
-
40:
₩291,985.4
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
65-EPC90141
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 100V/5A
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 40
배수: 1
|
|
|