IXYK140N120A4

IXYS
747-IXYK140N120A4
IXYK140N120A4

제조업체:

설명:
IGBT TO264 1200V 140A GENX4

ECAD 모델:
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₩45,051.2 ₩450,512
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제품 속성 속성 값 속성 선택
IXYS
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-264-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.7 V
- 20 V, 20 V
480 A
1.5 kW
- 55 C
+ 175 C
Trench
Tube
브랜드: IXYS
최대 연속 콜렉터 전류 Ic : 480 A
게이트-이미터 누설 전류: 200 nA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 25
하위 범주: IGBTs
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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench 650V-1,200V XPT™ GenX4™ IGBTs

IXYS Trench 650V~1,200 V XPT™ GenX4™ IGBT는 독점 XPT 씬 웨이퍼 기술과 최첨단 4세대(GenX4™) 트렌치 IGBT 프로세스를 사용하여 개발되었습니다. 이 절연 게이트 양극성 트랜지스터는 열 저항 감소, 낮은 에너지 손실, 빠른 스위칭, 낮은 잔여 전류 및 높은 전류 밀도가 특징입니다. 이 장치는 스위칭 및 단락 상태에서 탁월한 견고성을 발휘합니다.

IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBT

IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBT는 XPT 씬 웨이퍼 기술이 특징인 4세대 트렌치 IGBT입니다. 이 초저 VSAT IGBT 트랜지스터는 최대 5kHz의 스위칭 주파수를 지원하며 낮은 전도 손실에 최적화되어 있습니다. IXYxN120A IGBT는 고출력 밀도, 낮은 게이트 드라이브 요구 사항, -55 °C~+175 °C 범위의 작동 온도 등의 이점을 제공합니다. 이 트랜지스터는 TO-247 및 TO-269HV 패키지로 제공되며, 각각 1200V의 전압과 55A 또는 85A의 전류를 제공합니다. IXYxN120A IGBT는 전원 인버터, 모터 드라이브, PFC 회로, 배터리 충전기, 용접 기계, 램프 밸러스트 및 돌입 전류 보호기 회로와 같은 애플리케이션에 사용됩니다.

650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).