SCTW35N65G2VAG

Name: STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW35N65G2VAG
Price: 17447 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-SCTW35N65G2VAG

제조업체 번호:

SCTW35N65G2VAG

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2

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라이프사이클:

수명 종료:

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데이터시트:

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₩-

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₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩17,447	₩17,447
	₩13,023.2	₩130,232
	₩12,424.6	₩1,242,460
	₩10,920.8	₩6,552,480

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	HiP-247-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	45 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	67 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	5 V
Qg - 게이트 전하:	73 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 200 C
Pd - 전력 발산:	240 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
브랜드:	STMicroelectronics
포장:	Tube
제품 유형:	SiC MOSFETS
팩토리 팩 수량:	600
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
단위 중량:	4.500 g

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문서 필터:

데이터시트

SCTW35N65G2VAG 데이터시트 (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-8-8 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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