Toshiba(으)로 돌아가기

Toshiba TOLL 패키지로 제공되는 고전압 DTMOS VI MOSFET

TOLL 패키지로 제공되는 Toshiba 고전압 DTMOSVI MOSFET은 더욱 낮은 정전용량과 함께 낮은 드레인-소스 온 상태 저항(Rdson)과 고속 스위칭 특성을 지니고 있습니다. 따라서 스위칭 전원 공급 장치 애플리케이션에 이상적입니다. 이 최신 세대 DTMOSVI는 최저 성능 지수 RDS(ON)xQgd를 제공하며 전원 공급 및 전원 차단 손실을 줄이기 위해 Kelvin 소스 연결부가 있는 새로운 TOLL 패키지(9.9×11.68×2.3mm)로 제공됩니다.

특징

  • COSS 감소
  • 최신 공정 기술의 단일 에피택셜 공정 적용
  • 폭넓은 범위의 온 저항 및 패키징 옵션
  • DTMOS VI에서 제공하는 최저 성능 지수(RDS (ON) x QGD)
  • 개선된 RDS (ON) 대 영역 트레이드오프
  • 더 높은 온도에서 안정적인 온 저항
  • 전원 공급 장치의 최고 효율 스위칭을 위한 DTMOS VI
  • 열 시스템 비용 절감
  • 현장 고장 비용 절감
  • 수동 구성 요소 비용 절감
  • 손쉬운 설계로 출시 시간 단축 및 제품 출시 시간 단축
  • 경쟁력있는 가격으로 대량 시장 지원 준비
  • 더 높은 전력 밀도 지원

애플리케이션

  • 데이터 센터, PV 인버터, UPS
  • 스위치 모드 전원 공급 장치
  • 조명
  • 역률 제어
  • 산업용 애플리케이션

개요

Toshiba TOLL 패키지로 제공되는 고전압 DTMOS VI MOSFET

관련 제품

Toshiba DTMOSVI MOSFET

650V 전력 MOSFET은 0.033Ω(표준)의 낮은 드레인 소스 온 저항을 제공합니다.

Learn MoreToshiba DTMOSVI MOSFET 정보 View ProductsToshiba DTMOSVI MOSFET과 관련됨

성능 지수 비교

Toshiba TOLL 패키지로 제공되는 고전압 DTMOS VI MOSFET

추가 자료

View Results ( 6 ) Page
부품 번호 데이터시트 설명 Rds On - 드레인 소스 저항 Id - 연속 드레인 전류 Qg - 게이트 전하 Pd - 전력 발산
TK055U60Z1,RQ TK055U60Z1,RQ 데이터시트 MOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm 55 mOhms 40 A 65 nC 270 W
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ 데이터시트 MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 70 mOhms 30 A 47 nC 230 W
TK110U65Z,RQ TK110U65Z,RQ 데이터시트 MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 86 mOhms 24 A 40 nC 190 W
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ 데이터시트 MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 149 mOhms 15 A 25 nC 130 W
TK065U65Z,RQ TK065U65Z,RQ 데이터시트 MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ 51 mOhms 38 A 62 nC 270 W
TK155U65Z,RQ TK155U65Z,RQ 데이터시트 MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ 122 mOhms 18 A 29 nC 150 W
게시일: 2021-02-19 | 갱신일: 2022-03-11