TOLL 패키지로 제공되는 고전압 DTMOS VI MOSFET

TOLL 패키지로 제공되는 Toshiba 고전압 DTMOSVI MOSFET은 더욱 낮은 정전용량과 함께 낮은 드레인-소스 온 상태 저항(Rdson)과 고속 스위칭 특성을 지니고 있습니다. 따라서 스위칭 전원 공급 장치 애플리케이션에 이상적입니다. 이 최신 세대 DTMOSVI는 최저 성능 지수 RDS(ON)xQgd를 제공하며 전원 공급 및 전원 차단 손실을 줄이기 위해 Kelvin 소스 연결부가 있는 새로운 TOLL 패키지(9.9×11.68×2.3mm)로 제공됩니다.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
데이터시트
1,035재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ
데이터시트
3,792재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
데이터시트
2,000재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
데이터시트
5,965재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 65 nC 270 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
데이터시트
1,200재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
데이터시트
재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel