Texas Instruments LMG342xR050 600 V 50 mΩ GaN FET
드라이버 및 보호 기능이 통합된 Texas Instruments LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FET를 사용하여 설계자는 전력 전자 시스템에서 새로운 전력 밀도 및 효율성 수준을 달성할 수 있습니다. LMG342xR050은 최대 150V/ns의 스위칭 속도를 가능하게 하는 실리콘 드라이버를 통합합니다. TI의 통합 정밀 게이트 바이어스는 개별 실리콘 게이트 드라이버에 비해 더 높은 스위칭 SOA를 제공합니다. 이러한 통합은 TI의 저인덕턴스 패키지와 결합되어 하드 스위칭 전원 공급 장치 토폴로지에서 깨끗한 스위칭과 최소 링잉을 제공합니다. 조절 가능한 게이트 드라이브 강도를 통해 슬루율을 20V/ns에서 150V/ns까지 제어할 수 있으며, 이를 사용하여 EMI를 능동적으로 제어하고 스위칭 성능을 최적화할 수 있습니다.
Texas Instruments LMG3425R050에는 적응형 데드 타임 제어를 활성화하여 3사분면 손실을 줄이는 이상적인 다이오드 모드가 포함되어 있습니다. 고급 전원 관리 기능에는 디지털 온도 보고 및 결함 감지가 포함됩니다. GaN FET의 온도는 가변 듀티 사이클 PWM 출력을 통해 보고되며 장치 부하 관리를 간소화합니다. 보고된 결함으로는 과열, 과전류 및 UVLO 모니터링을 들 수 있습니다.
특징
- 하드 스위칭 토폴로지에 대한 JEDEC JEP180 인증
- 600V GaN-on-Si FET(통합 게이트 드라이버 포함)
- 통합된 고정밀 게이트 바이어스 전압
- 200V/ns CMTI
- 3.6MHz 스위칭 주파수
- 스위칭 성능 및 EMI 완화를 최적화하기 위한 20~150V/ns 슬루율
- 7.5~18V 공급 전압 범위에서 작동
- 고급 전원 관리
- 디지털 온도 PWM 출력
- 이상적인 다이오드 모드는 LMG3425R050에서 3사분면 손실을 줄입니다.
- 견고한 보호
- 100ns 미만의 응답으로 사이클 바이 사이클 과전류 및 래치형 단락 보호
- 하드 스위칭 시 720V 서지에 견딤
- 내부 과열 및 UVLO 모니터링으로부터 자체 보호
애플리케이션
- 고밀도 산업용 전원 공급 장치
- 태양광 인버터 및 산업용 모터 드라이브
- 무정전 전원 공급 장치
- 판매자 네트워크 및 서버 PSU
- 상업용 통신 정류기
기능 블록 선도
관련 개발 도구
Texas Instruments LMG3422EVM-041 하프 브리지 도터 카드
도터 카드는 하프 브리지에서 2개의 LMG3422R050 GaN FET를 구성합니다.
Texas Instruments LMG342X-BB-EVM 평가 모듈(EVM)
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게시일: 2022-06-06
| 갱신일: 2024-06-28