Texas Instruments LMG3422EVM-041 하프 브리지 도터 카드
Texas Instruments LMG3422EVM-041 하프 브리지 도터 카드는 하프 브리지에서 2개의 LMG3422R050 GaN FET를 구성합니다. 래치형 과전류 보호 기능과 필요한 모든 보조 주변 장치 회로를 포함하고 있습니다. 이 평가 모듈은 대형 시스템과 함께 작동하도록 설계되었습니다. 고주파 전류 루프를 구동하는 필수 전력단 및 게이트는 전력 루프 기생 인덕턴스를 최소화하기 위해 보드에 완전히 밀폐되어 있으며 전압 오버슈트를 줄이고 성능을 개선했습니다. Texas Instruments LMG342XEVM-04X는 다양한 애플리케이션에서 LMG342XR0X0을 실행하기 위한 외부 전력단과의 손쉬운 인터페이스를 위한 소켓 스타일 외부 연결용으로 구성됩니다.
특징
- 최대 600V의 입력 전압으로 작동
- LMG342XR0XX의 성능을 평가하기 위한 간단한 개방 루프 설계
- 가변 데드 타임이 있는 PWM 신호용 보드 내장형 단일/이중 PWM 입력
- 사이클별 과전류 보호 기능
- 짧은 접지 스프링 프로브를 가진 오실로스코프 프로브로 로직 및 전력단 측정을 위한 편리한 프로브 포인트
보드 레이아웃
관련 제품
Texas Instruments LMG342xR050 600 V 50 mΩ GaN FET
설계자가 전력 전자 시스템에서 새로운 전력 밀도 및 효율성 수준을 달성할 수 있도록 지원합니다.
관련 개발 도구
Texas Instruments LMG342X-BB-EVM 평가 모듈(EVM)
LMG342xR0x0 하프 브리지 보드를 동기식 벅 컨버터로 구성하는 데 사용됩니다.
게시일: 2022-09-27
| 갱신일: 2024-06-28