Texas Instruments LMG3411EVM-029 하프 브리지 도터 카드
Texas Instruments LMG3411EVM-029 하프 브리지 도터 카드는 사이클 바이 사이클 과전류 보호 기능과 모든 필요한 보조 주변기기 회로를 사용하여 하프 브리지에서 2개의 LMG3411R070 GaN FET를 구성합니다. 이 평가 모듈은 대형 시스템과 함께 작동하도록 설계되었습니다. 이 키트에는 LMG34xx-BB-EVM 마더보드가 포함되어 있지 않습니다. 자체 마더보드를 설계할 수는 있지만 즉시 벤치 테스트를 시작하려면 LMG34xx-BB-EVM 마더보드를 별도로 주문해야 합니다.
특징
- 최대 600V의 입력 전압으로 작동
- LMG3411R070의 성능 평가를 위한 간단한 개방 루프 설계
- 데드 타임이 50ns 미만인 PWM 신호를 위한 보드의 단일 PWM 입력부
- 사이클 바이 사이클 과전류 보호 기능
- 짧은 접지 스프링 프로브를 가진 오실로스코프 프로브로 로직 및 전력단 측정을 위한 편리한 프로브 포인트
Board Layout
관련 제품
Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 전력단
초저 입력 및 출력 정전용량을 포함해 실리콘 MOSFET보다 우수한 이점을 제공합니다.
Related Development Tool
Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaN 시스템 평가 보드
브레이크아웃 보드는 LMG341x 하프 브리지 보드를 동기식 벅 컨버터로 구성하는 데 사용됩니다.
게시일: 2019-01-23
| 갱신일: 2025-03-10