Texas Instruments LMG2100R044 GaN 하프 브리지 전력단

Texas Instruments LMG2100R044 GaN 하프 브리지 전력단은 게이트 드라이버 및 강화 모드 GaN(질화 갈륨) FET가 통합된 90 V 연속, 100 V 펄스, 35 A 하프 브리지 전력단입니다. LMG2100R044는 하프 브리지 구성에서 1개의 고주파 90 V GaN FET 드라이버로 구동되는 2개의 100 V GaN FET를 결합하고 있습니다. GaN FET는 역방향 회복 제로, 최소 입력 정전용량 CISS 및 출력 정전용량 COSS와 같은 전력 변환에 상당한 이점을 제공합니다.