LMG2100R044RARR

Name: Texas Instruments LMG2100R044RARR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG2100R044RARR
Price: 13286 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-LMG2100R044RARR

제조업체 번호:

LMG2100R044RARR

제조업체:

Texas Instruments

설명:

게이트 드라이버 100-V 4.4-m? half-br idge GaN FET with i

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

LMG2100R044RARR 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 5,182

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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₩-

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포장:

전체 릴(2500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩13,286	₩13,286
	₩9,095.8	₩90,958
	₩7,270.8	₩727,080
	₩6,555.4	₩6,555,400
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩6,365.6	₩15,914,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	VQFN-FCRLF-16
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	LMG2100R044
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
습도에 민감:	Yes
제품 유형:	Gate Drivers
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs

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문서 필터:

데이터시트

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG2100R044 GaN 하프 브리지 전력단

Texas Instruments LMG2100R044 GaN 하프 브리지 전력단은 게이트 드라이버 및 강화 모드 GaN(질화 갈륨) FET가 통합된 90 V 연속, 100 V 펄스, 35 A 하프 브리지 전력단입니다. LMG2100R044는 하프 브리지 구성에서 1개의 고주파 90 V GaN FET 드라이버로 구동되는 2개의 100 V GaN FET를 결합하고 있습니다. GaN FET는 역방향 회복 제로, 최소 입력 정전용량 CISS 및 출력 정전용량 COSS와 같은 전력 변환에 상당한 이점을 제공합니다.