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ROHM Semiconductor Rgx0tsx2x 필드 스톱 트렌치 IGBT

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x 필드 스톱 트렌치 IGBT는 10µs SCSOA(단락 회로 안전 작동 영역) 보장 절연 게이트 양극성 트랜지스터로, 일반 인버터, UPS, PV 인버터 및 전력 조절기 애플리케이션에 적합합니다. RGSx0TSX2x IGBT는 낮은 전도 손실을 제공하여 크기를 줄이고 효율성을 향상시킵니다. 이 장치는 고유의 트렌치 게이트 및 박막 웨이퍼 기술을 사용합니다. 이러한 기술은 낮은 컬렉터-이미터 포화 전압(VCE(sat))을 달성하고 스위칭 손실을 줄이는데 도움이 됩니다. 이러한 IGBT는 다양한 고전압 및 고전류 애플리케이션에서 에너지 절감 효과를 높입니다.

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x 필드 스톱 트렌치 IGBT는 TO-247N 패키지로 제공됩니다. RGS80TSX2D, RGS30TSX2D 및 RGS50TSX2D는 통합 FRD(고속 복구 다이오드)도 갖추고 있습니다.

특징

  • 10μs 단락 내성 시간
  • 내장형 FRD 고속 및 소프트 복구 다이오드(RGS80TSX2D, RGS30TSX2D, RGS50TSX2D만 해당)
  • 1,200V 컬렉터-이미터 전압(VCES)
  • ±30V 게이트-이미터 전압(VGES)
  • 1.7V 컬렉터-이미터 포화 전압(VCE(sat))
  • 7V 게이트-이미터 임계 전압(VGE(th))
  • -40~175°C 작동 접합 온도 범위
  • TO-247N 패키지
  • 무연 및 RoHS 준수

애플리케이션

  • 일반 인버터
  • UPS
  • PV 인버터
  • 파워 컨디셔너

관련 제품

ROHM Semiconductor RGS 필드 스톱 트렌치 자동차용 IGBT

낮은 전도 손실과 낮은 VCE(sat) 를 제공하며 스위칭 손실을 줄입니다.

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부품 번호 데이터시트 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 Pd - 전력 발산
RGS30TSX2DGC11 RGS30TSX2DGC11 데이터시트 30 A 267 W
RGS50TSX2GC11 RGS50TSX2GC11 데이터시트 50 A 395 W
RGS80TSX2GC11 RGS80TSX2GC11 데이터시트 80 A 555 W
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게시일: 2021-03-17 | 갱신일: 2022-03-11