IGBT – Mouser 대한민국

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KRW

재고 상태 RoHS

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Rgx0tsx2x 필드 스톱 트렌치 IGBT

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x 필드 스톱 트렌치 IGBT는 10µs SCSOA(단락 회로 안전 작동 영역) 보장 절연 게이트 양극성 트랜지스터로, 일반 인버터, UPS, PV 인버터 및 전력 조절기 애플리케이션에 적합합니다. RGSx0TSX2x IGBT는 낮은 전도 손실을 제공하여 크기를 줄이고 효율성을 향상시킵니다. 이 장치는 고유의 트렌치 게이트 및 박막 웨이퍼 기술을 사용합니다. 이러한 기술은 낮은 컬렉터-이미터 포화 전압(V_CE(sat))을 달성하고 스위칭 손실을 줄이는데 도움이 됩니다. 이러한 IGBT는 다양한 고전압 및 고전류 애플리케이션에서 에너지 절감 효과를 높입니다.

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결과: 6

적용된 필터:

25 C의 지속적인 컬렉터 전류

Pd - 전력 발산

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부품 번호

IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Field Stop Trench IGBT

RGS50TSX2GC11
ROHM Semiconductor
1: ₩14,622.4
711재고 상태

제조업체 부품 번호
RGS50TSX2GC11

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755-RGS50TSX2GC11

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IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Field Stop Trench IGBT

ROHM Semiconductor rohm rgsx0tsx2xxc11 igbts 에 대해

데이터시트

711재고 상태

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₩7,250.4

₩7,037.6

최소: 1
배수: 1

Si

TO-247N-3

Through Hole

Single

1.2 kV

2.1 V

30 V

50 A

395 W

- 40 C

+ 175 C

Tube

IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, Field Stop Trench IGBT

RGS80TSX2GC11
ROHM Semiconductor
1: ₩17,875.2
870재고 상태

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IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, Field Stop Trench IGBT

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₩17,875.2

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₩9,287.2

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Si

TO-247N-3

Through Hole

Single

1.2 kV

2.1 V

30 V

80 A

555 W

- 40 C

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IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

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₩9,545.6

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Si

TO-247N-3

Through Hole

Single

1.2 kV

2.1 V

30 V

30 A

267 W

- 40 C

+ 175 C

Tube

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RGS30TSX2GC11
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1: ₩12,084
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TO-247N-3

Through Hole

Single

1.2 kV

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30 V

30 A

267 W

- 40 C

+ 175 C

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ROHM Semiconductor rohm rgsx0tsx2xxc11 igbts 에 대해

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₩19,942.4

₩12,296.8

₩12,190.4

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Si

TO-247N-3

Through Hole

Single

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2.1 V

30 V

80 A

555 W

- 40 C

+ 175 C

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IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

RGS50TSX2DGC11
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238재고 상태

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238재고 상태

₩17,586.4

₩12,175.2

₩10,366.4

₩8,679.2

최소: 1
배수: 1

Si

TO-247N-3

Through Hole

Single

1.2 kV

2.1 V

30 V

50 A

395 W

- 40 C

+ 175 C

Tube