ROHM Semiconductor RF4G100BG N-채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RF4G100BG N-채널 전력 MOSFET은 40V, 10A MOSFET으로 14.2mΩ ON 상태 저항이 낮아 스위칭 애플리케이션에 이상적입니다. RF4G100BG는 27ns(표준) 역 복구 시간과 18nC(표준) 역 복구 전하를 가집니다. 이 장치의 소비 전력은 2.0W이며 -55~+150℃의 넓은 작동 접합부 및 보관 온도 범위가 특징입니다.
ROHM Semiconductor RF4G100BG N-채널 전력 MOSFET은 공간이 제한된 응용 제품에 이상적인 고전력, 소형 2.0mm x 2.0mm DFN2020-8S(HUML2020L8) 패키지로 제공됩니다.
특징
- 낮은 14.2mΩ ON 상태 저항(RDS(on))
- 40V 드레인- 소스 전압(VDSS)
- ±10A 연속 드레인 전류(ID)
- +40A 펄스 드레인 전류(IDP)
- +20V 게이트-소스 전압(VGSS)
- 10A 애벌랜치 전류, 단일 펄스(IAS)
- 8.4mJ 애벌랜치 에너지, 단일 펄스(EAS)
- 2.0W 전력 손실(PD)
- 27ns 역복구 시간(trr)
- 18nC 역회복 충전(Qrr)
- -55~+150℃ 작동 접합 및 보관 온도 범위
- 2.0mm x 2.0mm DFN2020-8S(HUML2020L8) 패키지
- 무연 도금
- 무할로겐 및 RoHS 규격 준수
애플리케이션
- 스위칭
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패키지 외형
게시일: 2021-11-29
| 갱신일: 2022-03-11