RF4G100BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4G100BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4G100BGTCR
Price: 2000 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-RF4G100BGTCR

제조업체 번호:

RF4G100BGTCR

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET DFN2020 N-CH 40V 10A

데이터시트:

RF4G100BGTCR 데이터시트

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
	₩2,000.2	₩2,000
	₩1,261.4	₩12,614
	₩835.1	₩83,510
	₩652.6	₩326,300
	₩592.8	₩592,800
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩518.3	₩1,554,900
	₩480.3	₩2,881,800
	₩454.1	₩4,086,900

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DFN-2020-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	10 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	14.2 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	10.6 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	2 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	4.5 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	5.2 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6.5 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
표준 턴-오프 지연 시간:	21 ns
표준 턴-온 지연 시간:	8.5 ns
부품번호 별칭:	RF4G100BG

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF4G100BG N-채널 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor RF4G100BG N-채널 전력 MOSFET은 40V, 10A MOSFET으로 14.2mΩ ON 상태 저항이 낮아 스위칭 애플리케이션에 이상적입니다. RF4G100BG는 27ns(표준) 역 복구 시간과 18nC(표준) 역 복구 전하를 가집니다. 이 장치의 소비 전력은 2.0W이며 -55~+150℃의 넓은 작동 접합부 및 보관 온도 범위가 특징입니다.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.