ROHM Semiconductor QH8M 이중 Nch+Pch 소신호 MOSFET
ROHM Semiconductor QH8M 이중 Nch+Pch 소신호 MOSFET은 40V 또는 60V 내전압을 지원하고 초저 ON 상태 저항 Nch+Pch MOSFET을 하나의 소형 표면 실장 TSMT8 패키지에 결합합니다. 이 시리즈는 공장 자동화 장비 및 기지국(냉각 팬)에 장착된 모터와 같은 24V 입력 장비를 위해 설계되었습니다. 이 장치는 장비의 소비전력을 낮추는데 기여합니다. QH8MB5는 최대 44mΩ/41mΩ RDS(on) 및 ±4.5A/±5A 드레인 전류 ID를 제공하고 QH8MC5는 최대 90mΩ/91mΩ RDS(on) 및 ±3A/3.5A 드레인 전류 ID를 제공합니다. ROHM Semiconductor QH8M 이중 Nch+Pch 소신호 MOSFET은 1.5W 전력 손실, 무연 도금, RoHS 준수가 특징입니다. QH8M 시리즈는 스위칭 애플리케이션에 이상적입니다.
특징
- 이중 Nch+Pch 극성
- 단자 8개
- 낮은 ON 상태 저항
- 소형 표면 실장 패키지(TSMT8)
- 스위칭 애플리케이션에 이상적
- 무연 도금
- RoHS 준수
- 무할로겐
사양
- QH8MB5
- 40V/-40V 드레인 소스 전압(VDSS)
- 44mΩ/41mΩ RDS(on) 최대
- ±4.5A/±5A 드레인 전류 ID
- 1.5W 전력 손실
- QH8MC5
- 60V/-60V 드레인 소스 전압(VDSS)
- 90mΩ/91mΩ RDS(on) 최대
- ±3A/3.5A 드레인 전류 ID
- 1.5W 전력 손실
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게시일: 2021-06-30
| 갱신일: 2022-03-11