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ROHM Semiconductor QH8K 이중 Nch+Nch 소신호 MOSFET

ROHM Semiconductor QH8K 이중 Nch+Nch 소신호 MOSFET은 40V, 60V, 또는 100V 내전압을 지원합니다. 이 시리즈는 공장 자동화 장비 및 기지국(냉각 팬)에 장착된 모터와 같은 24V 입력 장비를 위해 설계되었습니다. QH8K 장치는 ON 상태 저항이 낮은 Nch MOSFET으로 구성되어 기존 ROHM 제품에 비해 58% 감소했습니다. 따라서 구성 요소의 소비 전력이 낮습니다. 이 MOSFET은 8개의 단자와 무연 도금이 포함된 소형 표면 실장 TSMT8 패키지로 제공됩니다. ROHM Semiconductor QH8K 이중 Nch+Nch 소신호 MOSFET은 스위칭 애플리케이션에 사용하기에 이상적입니다.

특징

  • 이중 Nch+Nch 극성
  • 단자 8개
  • 낮은 ON 상태 저항
  • 소형 표면 실장 패키지(TSMT8)
  • 스위칭 애플리케이션에 이상적
  • 무연 도금
  • RoHS 규격 준수
  • 무할로겐

사양

  • 40V 또는 60V 드레인 소스 전압(VDSS)
  • 최대 17.7mΩ, 30mΩ, 44mΩ 또는 90mΩ RDS (on)
  • ±3A, ±4.5A, ±5.5A 또는 ±8A 드레인 전류 ID
  • 1.5W 전력 손실

애플리케이션

  • 스위칭
  • 모터 드라이브

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부품 번호 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 상승 시간 하강 시간 표준 턴-오프 지연 시간 표준 턴-온 지연 시간
QH8KC6TCR 60 V 5.5 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC 5.6 ns 4.4 ns 21 ns 8.7 ns
QH8KB6TCR 40 V 8 A 17.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.6 nC 6.2 ns 4.5 ns 21 ns 8.5 ns
QH8KE5TCR 100 V 2 A 202 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.8 nC 6 ns 5 ns 15 ns 6 ns
QH8ME5TCR 100 V 2 A 202 mOhms, 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.8 nC, 19.7 nC 6 ns, 7 ns 5 ns, 48 ns 15 ns, 105 ns 6 ns, 7.3 ns
QH8KB5TCR 40 V 4.5 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC 4.4 ns 2.7 ns 11 ns 5 ns
QH8KC5TCR 60 V 3 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.1 nC 4.8 ns 3.1 ns 13 ns 5.3 ns
QH8KE6TCR 100 V 4 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.7 nC 8 ns 9 ns 20 ns 7.5 ns
게시일: 2021-06-30 | 갱신일: 2024-01-29