ROHM Semiconductor BM61x 게이트 드라이버
ROHM Semiconductor BM61x 게이트 드라이버는 3 750 Vrms 절연 전압 및 65 ns I/O 지연 시간으로 1채널 갈바닉 절연을 제공합니다. 이 게이트 드라이버는 액티브 밀러 클램프 기능과 UVLF(부족전압 록아웃) 기능을 갖추고 있습니다. BM61x 게이트 드라이버는 -40~+125°C의 온도 범위와 4.5~5.5V의 입력 측 공급 전압 범위에서 작동합니다. 이 게이트 드라이버는 4 A의 출력 전류, +150 °C의 최대 접합 온도 및 60 ns의 최소 입력 펄스 폭에서 작동합니다. ROHM Semiconductor BM61x 게이트 드라이버는 SiC MOSFET 구동에 이상적입니다.
특징
- AEC-Q100 인증
- 갈바닉 절연
- 액티브 밀러 클램핑
- UVLF(저전압 로크아웃 기능)
사양
- -40 °C ~ +125 °C 작동 온도 범위
- 4.5 V~5.5 V 입력 공급 전압 범위
- 4 A 출력 전류
- +150 °C 최고 접합 온도
- 60 ns 최소 입력 펄스 폭
- 3 750 Vrms 절연 전압
- 65 ns I/O 지연 시간
애플리케이션 회로
자료
- 애플리케이션 노트
비디오
개발 도구
ROHM Semiconductor BM61M41RFV-EVK002 평가 보드
하프 브리지 애플리케이션에서 하이 측 및 로우 측을 위한 2개의 MOSFET 전원 장치를 구동합니다.
ROHM Semiconductor BM61S40RFV-EVK001 평가 보드
SiC 전원 장치를 구동하고 게이트 제어를 위한 액티브 밀러 클램핑을 제공합니다.
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게시일: 2020-03-30
| 갱신일: 2024-09-24