BM61x 게이트 드라이버

ROHM Semiconductor BM61x 게이트 드라이버는 3 750 Vrms 절연 전압 및 65 ns I/O 지연 시간으로 1채널 갈바닉 절연을 제공합니다. 이 게이트 드라이버는 액티브 밀러 클램프 기능과 UVLF(부족전압 록아웃) 기능을 갖추고 있습니다. BM61x 게이트 드라이버는 -40~+125°C의 온도 범위와 4.5~5.5V의 입력 측 공급 전압 범위에서 작동합니다. 이 게이트 드라이버는 4 A의 출력 전류, +150 °C의 최대 접합 온도 및 60 ns의 최소 입력 펄스 폭에서 작동합니다. ROHM Semiconductor BM61x 게이트 드라이버는 SiC MOSFET 구동에 이상적입니다.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
ROHM Semiconductor 게이트 드라이버 Isolation Gate Driver, 3.75Vrms, 65ns, 4A Output Current 2,057재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ROHM Semiconductor 게이트 드라이버 Isolation Gate Driver, 3.75Vrms, 65ns, 4A Output Current 1,669재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ROHM Semiconductor 갈바닉 절연 게이트 드라이버 ISOLATION VOLTAGE 2500VRMS 1CH 2,280재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

ROHM Semiconductor 전원 관리 IC 개발 도구 Evaluation board for BM61M22BFJ: The BM61M22BFJ-EVK001 board can be driving MOSFET and IGBT Power Devices. The Input-side power supply voltage is from 4.5 to 5.5 V. The output-side power supply is from 9 to 24 V. The BM61M22BFJ-C has Power Supply pro 47재고 상태
최소: 1
배수: 1

ROHM Semiconductor 전원 관리 IC 개발 도구 Evaluation board for BM61M22BFJ: The BM61M22BFJ-EVK002 board can be driving two MOSFET and IGBT Power Devices such as for High-side and Low-side on Half Bridge application. The Input-side power supply voltage is from 4.5 to 5.5 V. The output-side pow 19재고 상태
최소: 1
배수: 1

ROHM Semiconductor 게이트 드라이버 Isolation Gate Driver, 3.75Vrms, 65ns, 4A Output Current 346재고 상태
1,500예상 2026-04-22
최소: 1
배수: 1
: 1,500