onsemi D2-PAK 패키지로 제공되는 UF3C SiC FET
D2-PAK-3L 및 D2-PAK-7L 표면 실장 패키지로 제공되는 Qorvo UF3C SiC FET는 고유한 캐스코드 회로 구성을 기반으로 하며 탁월한 역방향 회복이 특징입니다. 캐스코드 회로 구성에서 상시 작동 SiC JFET는 Si MOSFET과 함께 패키징되어 상시 오프 SiC FET 장치를 생성합니다. 이 SiC FET는 낮은 보디 다이오드, 낮은 게이트 전하 및 0 V~15 V 드라이브를 허용하는 4.8 V 임계 전압을 제공합니다. 이 D2-PAK SiC FET 장치는 ESD 보호되며 >6.1mm의 패키지 연면 거리와 간극 거리를 제공합니다. FET(전계발광소자)의 표준 게이트 드라이브 특성은 Si IGBT, Si FET, SiC MOSFET 또는 Si 초접합을 위한 드롭인 대체품입니다. 이는 1 200 V 및 650 V 드레인-소스 항복 전압 변형 제품으로 제공되며 텔레콤 및 서버 전원, 산업용 전원 공급 장치, 모터 드라이브 및 유도 가열과 같은 제어된 환경에서 사용하기에 이상적입니다.
특징
- D2PAK-3L @ 650 V 30mΩ, 40mΩ 및 80mΩ
- D2PAK-7L @ 650V 80mΩ, 1200V 80mΩ 및 150mΩ
- 85mΩ 표준 온 상태 저항 RDS(on)
- 175°C 최고 작동온도
- 140nC 우수한 역회복(Qrr)
- 1.5VFSD (순방향 전압) 낮은 보디 다이오드
- 23nC의 낮은 게이트 전하
- 4.8VG(th) 문턱 전압
- 6.1mm 초과 패키지 연면거리 및 공간거리
- 최적화된 스위칭 성능을 위한 Kelvin 소스 핀
- ESD 보호
애플리케이션
- 전기통신 및 서버 전원
- 산업용 전원 공급 장치
- 역률 보정 모듈
- 모터 드라이브
- 유도 가열
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onsemi D2-PAK로 제공되는 UF3SC 고성능 SiC FET
고유한 "캐스코드" 회로 구성을 기반으로 하며 탁월한 역방향 회복이 특징입니다.
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| 부품 번호 | 데이터시트 | Vds - 드레인 소스 항복 전압 | Id - 연속 드레인 전류 | Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 | Qg - 게이트 전하 | Pd - 전력 발산 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| UF3C120080B7S |  |
1.2 kV | 28.8 A | 6 V | 23 nC | 190 W |
| UF3C065080B7S | |
650 V | 27 A | 6 V | 23 nC | 136.4 W |
| UF3C065080B3 | |
650 V | 25 A | 4 V | 51 nC | 115 W |
| UF3C065030B3 | |
650 V | 65 A | 4 V | 51 nC | 242 W |
| UF3C120400B7S | |
1.2 kV | 5.9 A | 6 V | 22.5 nC | 100 W |
| UF3C170400B7S | |
1.7 kV | 7.6 A | 6 V | 23.1 nC | 100 W |
| UF3C120150B7S | |
1.2 kV | 17 A | 4.4 V | 25.7 nC | 136 W |
| UF3C065040B3 | |
650 V | 41 A | 4 V | 51 nC | 176 W |
게시일: 2021-01-12
| 갱신일: 2025-07-15