onsemi NVXK2TR80WDT SiC(탄화 규소) 모듈
Onsemi NVXK2TR80WDT SiC (탄화 규소) 모듈은 APM32 듀얼 인라인 패키지(DIP)에 들어 있는 1,200V, 80mΩ 및 20A 듀얼 하프 브리지 소자 IC 전력 모듈입니다. 이 SiC 모듈은 총 모듈 저항이 낮도록 콤팩트하게 설계되었습니다. NVXK2TR80WDT 전력 모듈은 AEC-Q101 및 AQG324에 따른 자동차 전장 등급입니 . 이 전력 모듈은 무연이며 RoHS 및 UL94V-0 규격을 준수합니다. NVXK2TR80WDT EliteSiC MOSFET 모듈은 xEV 애플리케이션의 HV DC-DC 및 보드 내장형 충전기에 사용하기에 적합합니다.
특징
- DIP SiC(탄화 규소) 듀얼 하프 브리지 전력 모듈
- 1,200V 드레인-소스 전압(VDSS)
- 20A 연속 드레인 전류(ID)
- 80mΩ(표준) 드레인-소스 온 상태 저항(RDS(ON))
- -40°C~175°C 작동 접합 온도(TJ) 범위
- IEC60664-1 및 IEC 60950-1에 따른 연면 거리 및 공간거리
- 낮은 총 모듈 저항을 위한 콤팩트한 설계
- 전체 추적성을 위한 모듈 직렬화
- 무연
- RoHS 및 UL94V-0 규격 준수
- AEC-Q101 및 AQG324에 따른 자동차 전장 등급
애플리케이션
- EV-PHEV용 HV DC/DC 및 보드 내장형 충전기
- EV-PHEV용 11~22kW 보드 내장형 충전기
SiC MOSFET 하프 브리지 모듈
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게시일: 2024-08-02
| 갱신일: 2024-08-28