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NVXK2VR40WXT2

Name: onsemi NVXK2VR40WXT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2VR40WXT2
Price: 136578 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NVXK2VR40WXT2

제조업체 번호:

NVXK2VR40WXT2

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET 모듈 APM32 SIC POWER MODULE

데이터시트:

NVXK2VR40WXT2 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET 모듈
RoHS:
기술:	SiC
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	APM-32
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	6 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	55 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	59 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.3 V
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	319 W
시리즈:	NVXK2VR40WXT2
포장:	Tube
브랜드:	onsemi
구성:	3-Phase Bridge
하강 시간:	9 ns
높이:	5.8 mm
길이:	44.2 mm
제품 유형:	MOSFET Modules
상승 시간:	20 ns
팩토리 팩 수량:	10
하위 범주:	Discrete and Power Modules
타입:	Power Module
표준 턴-오프 지연 시간:	30 ns
표준 턴-온 지연 시간:	17 ns
너비:	29 mm

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NVXK2VR40WXT2 데이터시트

규정 준수 코드

CNHTS:: 8542391010
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 중국
어셈블리 원산지:: 중국
COD(확산 공정 국가):: 대한민국

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

NVXK2TR40WXT 실리콘 카바이드 (SiC) 모듈

onsemi NVXK2TR40WXT 실리콘 카바이드 (SiC) 모듈은 APM32 DIP(듀얼 인라인 패키지)에 탑재된1,200V, 40mΩ, 27A 듀얼 하프 브리지 EliteSiC 전력 모듈입니다. 이 SiC 모듈은 모듈의 저항을 낮추기 위해 컴팩트하게 설계되었습니다. NVXK2TR40WXT 전력 모듈은 AEC-Q101 및 AQG324에 따라자동차 전장 등급입니다. 이 전력 모듈은 무연, RoHS, UL94V-0 규격을 준수합니다. NVXK2TR40WXT EliteSiC MOSFET 전력 모듈은 xEV 애플리케이션의 DC-DC 및 보드 내장형 충전기에 이상적으로 사용됩니다.

NVXK2VR40WXT2 SiC(탄화 규소) 모듈

onsemi NVXK2VR40WXT2 SiC(탄화 규소) 모듈은 듀얼 인라인 패키지(DIP)로 제공되는 1,200V, 40mΩ 및 55A 3-상 브리지 전력 모듈입니다. 이 SiC 모듈은 총 모듈 저항이 낮도록 콤팩트하게 설계되었습니다. NVXK2VR40WXT2 전력 모듈은 AEC-Q101 및 AQG324에 따른 자동차 전장 등급입니 . 이 전력 모듈은 무연이며 RoHS 및 UL94V-0 규격을 준수합니다. NVXK2VR40WXT2 SiC 모듈의 온도 감지 및 최저 열 저항 덕분에 xEV 애플리케이션의 DC-DC 및 보드 내장형 충전기에 이상적입니다.