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900V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs - onsemi
onsemi 900V EliteSiC(탄화 규소) MOSFET
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onsemi 900V EliteSiC(탄화 규소) MOSFET은 실리콘 보다 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공하는 기술을 사용합니다. 또한 낮은 온 저항과 콤팩트한 칩 크기가 낮은 정전용량과 게이트 전하를 보장합니다. 따라서 시스템의 이점으로는 고효율, 더 빠른 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI 및 감소된 시스템 크기를 들 수 있습니다.
특징
900V 정격 전압
낮은 온 상태 저항
콤팩트한 칩 크기로 낮은 정전 용량과 게이트 전하 보장
고속 스위칭 및 낮은 정전용량
100% UIL 테스트 완료
AEC-Q101 인증
애플리케이션
자동차 전장
전기차/플러그인 하이브리드 전기차(EV/PHEV)용 DC/DC 변환기
보드 내장형 충전기
보조 모터 드라이브
태양광 인버터
네트워크 전원 공급 장치
서버 전원 공급 장치
PFC(역률 보정)
부스트 인버터
PV(태양광) 충전
관련 제품
우수한 스위칭 성능과 더욱 높은 신뢰성을 제공하는 신기술을 포함합니다.
고속 스위칭 애플리케이션에 맞게 최적화되었습니다.
650V, 750V, 1,200V의 전압 옵션이 특징입니다.
게이트 드라이버 및 EliteSiC Mosfets의 전체 포트폴리오는 페어링 시 열 성능을 향상시킵니다.
태양광 인버터 및 전기차 충전기와 같은 까다로운 애플리케이션 요구 사항을 해결합니다.
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게시일: 2020-04-01
| 갱신일: 2024-06-07