NVH4L020N090SC1

Name: onsemi NVH4L020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L020N090SC1
Price: 43975 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NVH4L020N090SC1

제조업체 번호:

NVH4L020N090SC1

제조업체:

onsemi

설명:

SiC MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

데이터시트:

NVH4L020N090SC1 데이터시트

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
패키지/케이스:	TO-247-4
상표명:	EliteSiC
브랜드:	onsemi
포장:	Tube
제품 유형:	SiC MOSFETS
시리즈:	NVH4L020N090SC1
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC

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문서 필터:

데이터시트

NVH4L020N090SC1 데이터시트

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
ECCN:: EAR99

900V EliteSiC(탄화 규소) MOSFET

onsemi 900V EliteSiC(탄화 규소) MOSFET은 실리콘 보다 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공하는 기술을 사용합니다. 또한 낮은 온 저항과 콤팩트한 칩 크기가 낮은 정전용량과 게이트 전하를 보장합니다. 따라서 시스템의 이점으로는 고효율, 더 빠른 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI 및 감소된 시스템 크기를 들 수 있습니다.

M2 EliteSiC MOSFET

Onsemi M2 EliteSiC MOSFET은 650V, 750V 및 1200V의 전압 옵션을 특징으로 합니다. onsemi M2 MOSFET은 D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD 및 TO-247-4LD 등 다양한 패키지로 제공됩니다. MOSFET은 설계 및 구현 유연성을 제공합니다. 또한 M2 EliteSiC MOSFET은 +22V/-8V의 최대 게이트-소스 전압, 낮은 R_DS(on) 및 높은 SCWT(단락 내성 시간)을 자랑합니다.