NXP Semiconductors GD3162 고급 IGBT/SiC 게이트 드라이버
NXP Semiconductors GD3162 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters. The NXP Semiconductors GD3162 drivers enable space savings and performance through advanced gate-drive functionality. The device includes integrated galvanic isolation, a programmable SPI interface, and advanced protection features like overtemperature, desaturation, and current sense protection. With integrated boost capability, the GD3162 can directly drive most SiC MOSFET and IGBT/SiC module gates.특징
- 최대 10A/20A/30A 소스/싱크 전류까지 구동 강도를 높이는 통합 부스트 기능
- 25V 최대 VCC 출력 전압
- 프로그래밍 가능한 ADC 지연 - PWM의 상승 또는 하강 에지에서 최대 8μs 샘플링 지연
- 프로그래밍 가능한 오프셋 및 이득을 갖춘 NTC 서미스터 또는 다이오드 센서용 통합 HV 온도 감지(TSENSE)
- 빠른 VCE DeSat 감지 및 반응 시간: 1µs(SiC) 미만
- 스위칭 손실(SiC) 감소를 위해 향상된 PWM 데드타임 범위
- 프로그래밍 가능한 2-level 끄기(2LTO) 및 소프트 셧다운(SSD)
- DC 링크 커패시터를 능동적으로 방전하기 위해 MCU 제어 또는 안전 로직 제어 게이트 드라이브 제공
- 추가 프로그래밍 가능 오류 핀(INTA)
- 통합 HV 오류 관리(FSISO)
- 프로그래밍 가능한 VCE 출력 모니터링
- 100V/ns 초과의 최소 CMTI(공통 모드 과도 내성)
- UL1577에 따른 5000Vrms 갈바닉 절연(예정)
애플리케이션
- EV(전기차) 트랙션 인버터
- HEV(하이브리드 EV)
- 모터 드라이브
비디오
블록 선도
게시일: 2024-02-23
| 갱신일: 2024-12-17
