NXP Semiconductors AFV10700H RF 전력 LDMOS 트랜지스터
NXP Semiconductors AFV10700H RF 전력 LDMOS 트랜지스터는 1,030MHz~1,090MHz 범위에서 작동하는 펄스 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 이 LDMOS 트랜지스터는 저전력 조건에서 960~1,215MHz 대역에서 사용할 수 있습니다. 이 소자는 IFF, 이차 감시 레이더, ADS-B 트랜스폰더, DME 및 기타 복잡한 펄스 체인과 같이 듀티 사이클이 크고 펄스 범위가 긴 국방 및 상용 펄스 애플리케이션에 사용하기에 적합합니다. AFV10700H RF 전력 LDMOS 트랜지스터는 NXP Airfast 기술을 기반으로 하며 설계 유연성을 위해 소형, NI-780H-4L(AFV10700H) 또는 NI-780S-4L(AFV10700HS) 에어 캐비티 패키지에 포함되어 있습니다.
특징
- Internally input and output matched for broadband operation and ease of use
- The device can be used single-ended, push-pull, or quadrature configuration
- Qualified up to a maximum of 55VDD operation
- High ruggedness, handles > 20:1VSWR
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation and gate voltage pulsing
- Recommended drivers: MRFE6VS25N (25W) or MRF6V10010N (10W)
- RoHS Compliant
- It is included in NXP Product Longevity Program with assured supply for a minimum of 15 years after launch.
사양
- 1030MHz to 1090MHz frequency
- 50V supply voltage
- 700W peak output power
- Pulse test signal
- 19.2dB at 1030MHz power gain
- 58.5% efficiency
- 0.03°C/W thermal resistance
- Input and output impedance matching
- AB Class
Development Tools
NXP Semiconductors AFV10700H 기준 회로
NXP AFV1070 RF 전력 트랜지스터의 빠른 평가 및 프로토타이핑이 가능합니다.
게시일: 2017-08-18
| 갱신일: 2025-12-16