NXP Semiconductors AFV10700H 기준 회로
NXP Semiconductors AFV10700H 기준 회로는 NXP AFV1070 RF 전력 트랜지스터의 빠른 평가 및 프로토타이핑이 가능하도록 설계되었습니다. AFV10700H는 1,030~1,090MHz에서 작동하는 펄스 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 이 LDMOS 트랜지스터는 저전력 조건에서 960~1,215MHz 대역에서 사용할 수 있습니다. 이 소자는 IFF, 이차 감시 레이더, ADS-B 트랜스폰더, DME 및 기타 복잡한 펄스 체인과 같이 듀티 사이클이 크고 펄스 범위가 긴 국방 및 상용 펄스 애플리케이션에 사용하기에 적합합니다.
특징
- NXP AFV1070 RF 전력 트랜지스터
- 주파수 범위: 1,030~1,090MHz
- 2.0" x 3.0" PCB 크기(5.1cm x 7.6cm)
- 최대 55VDD 작동 인증
성능
보드 레이아웃
구성품 목록
적용 가능 제품
NXP Semiconductors AFV10700H RF 전력 LDMOS 트랜지스터
고출력 LDMOS 트랜지스터는 1,030~1,090MHz 범위에서 작동하는 펄스 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
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시장 출시 시간을 단축하기 위해 프로토타이핑 RF 애플리케이션을 가속화하도록 설계된 편리한 사용 솔루션.
게시일: 2019-11-18
| 갱신일: 2023-10-19