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Wolfspeed 1,200V C4MS 이산형 SiC MOSFET

Wolfspeed 1,200V C4MS 이산형 SiC(탄화 규소) MOSFET은 하드 스위치 애플리케이션에서 탁월한 성능을 제공합니다. C4MS 제품군은 최소한의 오버슈트와 링잉으로 빠른 스위칭을 가능하게 하는 빠르고 부드러운 바디 다이오드를 활용하여, 엔지니어가 애플리케이션에서 성능을 조정하고 최적화할 수 있는 사용 가능한 설계 공간을 확장합니다. C4MS 제품군은 낮은 RDS(on) 온도 계수를 유지하는 동시에 C3M 제품군에 비해 향상된 Eon, ERR, Eoff 손실을 제공합니다. 이 균형잡힌 접근 방식은 하드 스위치 및 소프트 스위치 토폴로지 모두에서 최대의 성능과 효율을 제공합니다.

Wolfspeed 1,200V C4MS 제품군은 향상된 스위칭 성능 외에도 과도 과전압 성능, 높은 버스 전압에서 향상된 수명, 넓은 게이트 전압 호환성을 제공하여 간소화된 드롭인 기능을 제공합니다.

특징

  • 낮은 E온 및 ERR
  • 오버 슈트 및 공명이 낮은 소프트 바디 다이오드
  • 낮은 RDS(온) 온도 계수
  • 높은 Ciss/Crss 비율
  • 넓은 게이트 전압 호환성(-4~0V/15~18V)
  • 높은 과도 전압 호환성
  • U2 패키지는 다른 TSC(상단 냉각) 패키지와 핀-핀 호환 가능
  • 하드 스위치 애플리케이션에 이상적
  • 손실이 낮아 더 높은 효율의 스위칭 주파수 및 냉각 요구 사항 충족 가능
  • 시스템 수준의 가격 대비 성능 최적화 가능

애플리케이션

  • 저전압 산업용 드라이브
  • 전력 공급
  • 서보 드라이브
  • 고속 충전
  • 에너지 저장 시스템
  • 태양광(상업용 애플리케이션)

패키지

차트 - Wolfspeed 1,200V C4MS 이산형 SiC MOSFET
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부품 번호 데이터시트 설명
C4MS025120J2-TR C4MS025120J2-TR 데이터시트 SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS025120K C4MS025120K 데이터시트 SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
C4MS025120K1 C4MS025120K1 데이터시트 SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial
C4MS025120U2-TR C4MS025120U2-TR 데이터시트 SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2), Industrial
C4MS036120J2-TR C4MS036120J2-TR 데이터시트 SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS036120K C4MS036120K 데이터시트 SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
C4MS036120K1 C4MS036120K1 데이터시트 SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial
C4MS036120U2-TR C4MS036120U2-TR 데이터시트 SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2), Industrial
C4MS047120J2-TR C4MS047120J2-TR 데이터시트 SiC MOSFET SiC, MOSFET,47mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS047120K C4MS047120K 데이터시트 SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
게시일: 2025-12-02 | 갱신일: 2025-12-19