1,200V C4MS 이산형 SiC MOSFET

Wolfspeed 1,200V C4MS 이산형 SiC(탄화 규소) MOSFET은 하드 스위치 애플리케이션에서 탁월한 성능을 제공합니다. C4MS 제품군은 최소한의 오버슈트와 링잉으로 빠른 스위칭을 가능하게 하는 빠르고 부드러운 바디 다이오드를 활용하여, 엔지니어가 애플리케이션에서 성능을 조정하고 최적화할 수 있는 사용 가능한 설계 공간을 확장합니다. C4MS 제품군은 낮은 RDS(on) 온도 계수를 유지하는 동시에 C3M 제품군에 비해 향상된 Eon, ERR, Eoff 손실을 제공합니다. 이 균형잡힌 접근 방식은 하드 스위치 및 소프트 스위치 토폴로지 모두에서 최대의 성능과 효율을 제공합니다.

결과: 16
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 429 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2), Industrial 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 455 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 340 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial 재고 없음
최소: 450
배수: 450
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2), Industrial 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 357 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,47mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 280 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,47mohm,1200V, TSC (U2), Industrial 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,65mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 211 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial 재고 없음
최소: 450
배수: 450
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,65mohm,1200V, TSC (U2), Industrial 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 42 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 215 W Enhancement