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Vishay SiRS5700DP N-채널 150V(D-S) MOSFET

Vishay SiRS5700DP N 채널 150V(D-S) MOSFET은 TrenchFET® Gen V 전력 MOSFET으로, 매우 낮은 RDS x Qg FOM(성능 지수)을 제공합니다. Vishay SiRS5700DP은 전력 효율을 최적화하고 이 장치의 RDS(on)는 전도 중 전력 손실을 최소화하여 효율적인 작동을 보장합니다. 이 MOSFET은 100% Rg 및 UIS 테스트를 수행하여 신뢰성을 보장합니다. 또한, 이 장치는 전력 손실을 향상시키고 열 저항(RthJC)을 낮 추며, 고성능 애플리케이션에 이상적인 선택입니다.

특징

  • TrenchFET Gen V 전력 MOSFET
  • 매우 낮은 RDS x Qg FOM(성능 지수) 제공
  • 선도적인 RDS(on)로 전도로 인한 전력 손실 최소화
  • 100% Rg 및 UIS 테스트 완료
  • 전력 손실 향상 및 낮은 RthJC

애플리케이션

  • 동기식 정류
  • DC/DC 컨버터
  • O-링 및 핫 스왑 스위치
  • 전원 공급 장치
  • 모터 드라이브 제어
  • 배터리 관리

애플리케이션 회로

애플리케이션 회로도 - Vishay SiRS5700DP N-채널 150V(D-S) MOSFET
Vishay SiRS5700DP N-채널 150V(D-S) MOSFET
게시일: 2024-01-19 | 갱신일: 2024-11-26