SIRS5700DP-T1-RE3

Name: Vishay SIRS5700DP-T1-RE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIRS5700DP-T1-RE3
Price: 6970 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SIRS5700DP-T1-RE3

제조업체 번호:

SIRS5700DP-T1-RE3

제조업체:

Vishay

설명:

MOSFET N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062

데이터시트:

SIRS5700DP-T1-RE3 데이터시트

ECAD 모델:

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MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩6,970.8	₩6,971
	₩4,617.6	₩46,176
	₩3,522.4	₩352,240
	₩3,063.6	₩1,531,800
	₩2,974.8	₩2,974,800
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩2,545.6	₩7,636,800
	₩2,516	₩15,096,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SO-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	150 V
Id - 연속 드레인 전류:	144 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	5.6 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	73 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	278 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay
구성:	Single
하강 시간:	25 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	122 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	21 ns
시리즈:	SiRS5700DP
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	40 ns
표준 턴-온 지연 시간:	20 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SIRS5700DP-T1-RE3 데이터시트

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiRS5700DP N-채널 150V(D-S) MOSFET

Vishay SiRS5700DP N 채널 150V(D-S) MOSFET은 TrenchFET® Gen V 전력 MOSFET으로, 매우 낮은 R_DS x Q_g FOM(성능 지수)을 제공합니다. Vishay SiRS5700DP은 전력 효율을 최적화하고 이 장치의 R_DS(on)는 전도 중 전력 손실을 최소화하여 효율적인 작동을 보장합니다. 이 MOSFET은 100% R_g 및 UIS 테스트를 수행하여 신뢰성을 보장합니다. 또한, 이 장치는 전력 손실을 향상시키고 열 저항(R_thJC)을 낮 추며, 고성능 애플리케이션에 이상적인 선택입니다.