Texas Instruments 질화 갈륨(GaN)

강력한 GaN이 새로운 전자 스위치인 HEMT(high electron mobility transistor)를 가능하게 합니다. HEMT는 동등한 크기의 실리콘 파워 트랜지스터보다 빠른 스위칭으로 낮은 온 저항을 허용하는 FET(field-effect transistor)입니다. 이러한 이점을 갖추고 있어 전력 변환을 통해 보다 많은 에너지를 생성하고 공간을 효율적으로 활용할 수 있습니다. 실리콘 기판에서 널리 사용되고 있는 GaN 모듈 덕분에 실리콘 제조 기능을 사용할 수 있게 되었습니다. 이러한 이점 덕분에 입증된 신뢰성을 지닌 무선 기지국에서 전력 HEMT가 널리 사용될 수 있습니다.

향상된 전력 밀도, 극대화된 dV/dt 내성 및 최적화된 구동 강도는 잡음을 줄이고 효율을 향상시킵니다. 고전압, 고효율 PFC 및 LLC 기준 설계 장치를 LMG3410 600V GaN 전력단으로 구동되는 설계 솔루션에 사용할 수 있습니다. LMG5200 80V GaN 전력단을 사용하여 여러 개의 단일 스테이지 48V 전력 변환 설계를 구현할 수 있습니다.

GaN 에코시스템은 새롭고 독창적인 토폴로지 및 감소된 차폐 기능을 가능하게 합니다. 아날로그 및 디지털 GaN FET 컨트롤러는 TI GaN 전력단 및 개별 GaN FET와 원할하게 페어링됩니다.