STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8 개발 보드
STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8 개발 보드는 L638xE 및 L639x 고전압 게이트 드라이버용으로 설계되었습니다. 이 L638xE 및 L639x 드라이버는 N채널 전력 MOSFET 또는 IGBT용 단일 칩 하프 브리지 게이트 드라이버입니다. 이 L638xE 및 L639x 드라이버는 BCD™ "오프라인" 기술을 사용하여 제조된 고전압 장치입니다. EVALSTDRV600HB8 보드는 SO8 패키지에 2개의 샘플(L638xE 및 L639x)로 구성되어 있어 최대 600V의 정격 전압으로 게이트 드라이버 특징 및 기능을 평가할 수 있습니다. 이 SO8 패키지는 또한 여러 고전압, 하이 사이드 및 로우 사이드 드라이버 장치를 지원합니다. 또한 개발 보드는 보다 소형의 비용 효율적인 설계가 가능하도록 고안된 필터링, 부트스트랩 커패시터 및 통합 부트스트랩 다이오드와 같은 패시브 구성 요소와 함께 제공됩니다.
The EVALSTDRV600HB8 board consists of two samples (L638xE and L639x) in the SO8 package allows evaluating gate driver features and functionalities with voltage rating up to 600V. This SO8 package also supports several high voltages, high-side, and low-side driver devices. The development board also comes with passive components such as filtering, bootstrap capacitor, and integrated bootstrap diode designed to allow more compact and cost-effective.
특징
- Half-bridge configuration
- 600V high voltage rail
- Includes samples of each compatible gate driver in SO8 package
- L6385E, L6387E, L6388E, L6389E, L6395, L6398, and L6399
- Compatible with MOSFETs or IGBTs in ±50V/ns dv/dt transient immunity in full temperature range
- Integrated bootstrap diode
- Dedicated high-side and low-side driving inputs
- Compact and simplified layout
- Gate drivers in the kit feature different functionalities and characteristics:
- UVLO on both high-side and low-side
- Internal deadtime or no deadtime
- Interlocking for anti cross-conduction protection
- Ability to drive asymmetrical half-bridges and switched reluctance motors
- Active high or active low Local Interconnect Network (LIN) for single input gate driving
Associated Product
STMicroelectronics L638xE 및 L639x 게이트 드라이버
하이 측(플로팅) 섹션 MOSFET 또는 IGBT 장치에서 최대 600V의 전압 레일에 견디도록 설계되었습니다.
게시일: 2017-11-24
| 갱신일: 2022-06-23