EVALSTDRV600HB8

Name: STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-EVALSTDRV600HB8
Price: 43245 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

511-EVALSTDRV600HB8

제조업체 번호:

EVALSTDRV600HB8

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

전원 관리 IC 개발 도구 Demonstration board kit for L638xE and L639x high-voltage gate drivers

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데이터시트:

EVALSTDRV600HB8 데이터시트 (PDF)

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	전원 관리 IC 개발 도구
RoHS:
제품:	Demonstration Boards
타입:	Gate Driver
입력 전압:	17 V, 20 V
도구는 다음 평가를 위한 것임::	L638xE, L639x
시리즈:	EVALSTDRV600HB8
브랜드:	STMicroelectronics
포장:	Bulk
제품 유형:	Power Management IC Development Tools
팩토리 팩 수량:	1
하위 범주:	Development Tools
단위 중량:	100 g

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문서 필터:

데이터시트

EVALSTDRV600HB8 데이터시트 (PDF)

Product Catalogs

Demonstration board kit for L638xE and L639x high voltage gate (PDF)

CNHTS:: 8543909000
USHTS:: 9030333800
TARIC:: 8473302000
MXHTS:: 8473300499
ECCN:: EAR99

EVALSTDRV600HB8 개발 보드

STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8 개발 보드는 L638xE 및 L639x 고전압 게이트 드라이버용으로 설계되었습니다. 이 L638xE 및 L639x 드라이버는 N채널 전력 MOSFET 또는 IGBT용 단일 칩 하프 브리지 게이트 드라이버입니다. 이 L638xE 및 L639x 드라이버는 BCD™ "오프라인" 기술을 사용하여 제조된 고전압 장치입니다. EVALSTDRV600HB8 보드는 SO8 패키지에 2개의 샘플(L638xE 및 L639x)로 구성되어 있어 최대 600V의 정격 전압으로 게이트 드라이버 특징 및 기능을 평가할 수 있습니다. 이 SO8 패키지는 또한 여러 고전압, 하이 사이드 및 로우 사이드 드라이버 장치를 지원합니다. 또한 개발 보드는 보다 소형의 비용 효율적인 설계가 가능하도록 고안된 필터링, 부트스트랩 커패시터 및 통합 부트스트랩 다이오드와 같은 패시브 구성 요소와 함께 제공됩니다.
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