STMicroelectronics STD80N240K6 800 V 16 A MDmesh K6 전력 MOSFET
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh™ K6 전력 MOSFET은 우수한 RDS(on) x 구역과 낮은 총 게이트 전하(Qg)를 제공하여 높은 스위칭 속도와 낮은 손실을 가능하게 합니다. 통합된 ESD 보호 다이오드는 STD80N240K6 MOSFET의 전체 견고성을 HBM(인체 모델) 클래스 2까지 향상시킵니다. MDmesh K6 MOSFET은 이전 MDmesh K5 세대에 비해 임계 전압이 낮아 구동 전압을 낮추고 전력 손실을 줄이고 주로 제로 와트 대기 애플리케이션에서 효율성을 얻습니다. STD80N240K6은 LED 드라이버 및 HID 램프와 같은 플라이백 토폴로지를 기반으로 하는 조명 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. 이 장치는 또한 평면 패널 디스플레이용 어댑터 및 전원 공급 장치에 이상적입니다.
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6 전력 MOSFET은 소형 DPAK(TO-252) 유형 A2 패키지로 제공됩니다.
특징
- 드레인-소스 전압(VDS): 800 V
- 게이트-소스 전압(VGS): ±30 V
- 드레인-소스 온 상태 저항(RDS (on)): 197mΩ(표준)
- 총 게이트 전하량(Qg): 25.9nC
- 연속 드레인 전류(ID)
- 16 A (TC = 25 °C)
- 10 A (TC = 100 °C)
- 제로 게이트 전압 드레인 전류(IDSS): 1 µA
- 게이트 본체 누설 전류(IGSS): ±1 µA
- 게이트 임계 전압(VGS (th)): 3.5 V
- 펄스 드레인 전류(IDM): 35 A
- 총 전력 손실: TC = 25 °C (PTOT)에서 105 W
- 100% 애버랜치(avalanche) 테스트 통과
- 제너 보호
- -55 °C ~ 150 °C 작동 접합 온도 범위(TJ)
- DPAK (TO-252) 타입 A2 패키지
애플리케이션
- 플라이백 컨버터
- 태블릿, 노트북 및 올인원 컴퓨터용 어댑터
- LED 조명
- 디스플레이 패널
내부 회로
테스트 회로
패키지 외형
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800V, 제너 보호, 100% Avalanche 테스트를 거쳤으며, 플라이백 컨버터와 LED 조명에 이상적입니다.
설계 완성하기
STMicroelectronics 표준 제품
범용 아날로그 IC, 이산 및 직렬 EEPROM을 위한 광범위한 즉시 교체 제품입니다.
게시일: 2022-04-18
| 갱신일: 2024-06-25