STD80N240K6

STMicroelectronics
511-STD80N240K6
STD80N240K6

제조업체:

설명:
MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

ECAD 모델:
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재고 상태: 364

재고:
364
즉시 배송 가능
주문 중:
2,500
예상 2026-08-17
공장 리드 타임:
13
표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(2500의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩7,548.2 ₩7,548
₩5,533.4 ₩55,334
₩4,467.6 ₩446,760
₩3,971.2 ₩1,985,600
₩3,401.8 ₩3,401,800
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩3,401.8 ₩8,504,500
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다.

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
800 V
16 A
220 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
25.9 nC
- 55 C
+ 150 C
105 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: STMicroelectronics
제품 유형: MOSFETs
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: Transistors
단위 중량: 330 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-채널 MDmesh K6 전력 MOSFET

STMicroelectronics  N-채널 MDmesh K6 전력 MOSFET은 제너 보호와 100% Avalanche 테스트를 거친 제품입니다. 이 전력 MOSFET는 800V의 최소 드레인-소스 전압, ±30V 게이트-소스 전압, -55°C~150°C의 작동 접합부 온도 범위가 특징입니다. MDmesh K6 전력 MOSFET은 5V/ns 피크 다이오드 복구 전압 슬로프, 100μA/µs 피크 다이오드 복구 전류 슬로프, 120V/ns MOSFET dv/dt 견고성이 특징입니다. 일반적으로 노트북과 AIO, 플라이백 컨버터, 태블릿용 어댑터, LED 조명에 사용됩니다.

STD80N240K6 800 V 16 A MDmesh K6 전력 MOSFET

STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh™ K6 전력 MOSFET은 우수한 RDS(on) x 구역과 낮은 총 게이트 전하(Qg)를 제공하여 높은 스위칭 속도와 낮은 손실을 가능하게 합니다. 통합된 ESD 보호 다이오드는 STD80N240K6 MOSFET의 전체 견고성을 HBM(인체 모델) 클래스 2까지 향상시킵니다. MDmesh K6 MOSFET은 이전 MDmesh K5 세대에 비해 임계 전압이 낮아 구동 전압을 낮추고 전력 손실을 줄이고 주로 제로 와트 대기 애플리케이션에서 효율성을 얻습니다. STD80N240K6은 LED 드라이버 및 HID 램프와 같은 플라이백 토폴로지를 기반으로 하는 조명 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. 이 장치는 또한 평면 패널 디스플레이용 어댑터 및 전원 공급 장치에 이상적입니다.