STMicroelectronics SGT65R65AL e-모드 PowerGaN 트랜지스터
STMicroelectronics 의 SGT65R65AL e-mode PowerGaN 트랜지스터는 검증된 패키징 기술과 결합된 650V, 25A 트랜지스터입니다. STMicroelectronics 의 SGT65R65AL은 G-HEMT (Gate-Injection High Electron Mobility Transistor) 구조를 통해 매우 낮은 전도 손실, 높은 전류 용량 및 초고속 스위칭 동작을 제공합니다. 이 장치는 높은 전력 밀도와 독보적인 효율 성능을 구현할 수 있습니다.
특징
- 강화 모드 정상-오프 트랜지스터
- 고속 스위칭 속도
- 높은 전력 관리 기능
- 극히 낮은 정전용량
- 최적의 게이트 구동을 위한 Kelvin 소스 패드
- 제로 역방향 회복 충전
애플리케이션
- AC-DC 컨버터
- 서버 및 통신용 AC-DC PSU
- LED 조명
- UPS(무정전 전원 공급 장치)
테스트 회로
관련 트랜지스터
STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E- 모드 PowerGaN 트랜지스터
예외적으로 빠른 스위칭, 낮은 전도 손실 및 높은 전력 밀도를 제공합니다.
설계 완성
STMicroelectronics 표준 제품
범용 아날로그 IC, 이산 및 직렬 EEPROM을 위한 광범위한 즉시 교체 제품입니다.
게시일: 2023-03-07
| 갱신일: 2026-02-18