GaN FET – Mouser 대한민국

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PowerGaN E-모드 G-HEMT™ 트랜지스터

STMicroelectronics PowerGaN E-모드 G-HEMT™ 트랜지스터는 고성능 향상 모드(일반적으로 오프) GaN 소자로, 까다로운 전력 변환 애플리케이션 전반에 걸쳐 매우 빠른 스위칭, 낮은 전도 손실 및 높은 전력 밀도를 제공하도록 설계되었습니다. 이 트랜지스터는 질화갈륨의 넓은 밴드갭 특성을 활용하여 극히 낮은 정전 용량, 최소한의 게이트 전하, 그리고 역회복 전하가 없는 특성을 구현하여 기존 실리콘 전력 스위치에 비해 탁월한 효율을 제공합니다.

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결과: 9

적용된 필터:

패키지/케이스

트랜지스터 극성

채널 수

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

Pd - 전력 발산

채널 모드

기술

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RoHS 준수

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부품 번호

GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT070R70HTO
STMicroelectronics
1: ₩15,537.6
374재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SGT070R70HTO

Mouser 부품 번호
511-SGT070R70HTO

신제품

STMicroelectronics

GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

STMicroelectronics sgt070r70hto transistor 에 대해

데이터시트

374재고 상태

컷 테이프

₩15,537.6

₩8,564.4

₩8,002.8

₩6,536.4

릴

₩6,520.8

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 1,800

SMD/SMT

TO-LL-11

700 V

26 A

70 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

231 W

Enhancement

GaN

GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT080R70ILB
STMicroelectronics
1: ₩10,686
728재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SGT080R70ILB

Mouser 부품 번호
511-SGT080R70ILB

신제품

STMicroelectronics

GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

STMicroelectronics sgt080r70ilb transistor 에 대해

데이터시트

728재고 상태

컷 테이프

₩10,686

₩5,694

₩5,210.4

₩4,882.8

₩4,290

릴

₩3,978

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

29 A

80 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

GaN

GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT105R70ILB
STMicroelectronics
1: ₩9,282
768재고 상태
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제조업체 부품 번호
SGT105R70ILB

Mouser 부품 번호
511-SGT105R70ILB

신제품

STMicroelectronics

GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

STMicroelectronics sgt powergan transistors 에 대해

데이터시트

768재고 상태

컷 테이프

₩9,282

₩4,882.8

₩4,446

₩4,040.4

₩3,884.4

릴

₩3,291.6

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

21.7 A

105 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

158 W

Enhancement

GaN

GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT140R70ILB
STMicroelectronics
1: ₩7,909.2
637재고 상태
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제조업체 부품 번호
SGT140R70ILB

Mouser 부품 번호
511-SGT140R70ILB

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STMicroelectronics

GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor

STMicroelectronics sgt powergan transistors 에 대해

데이터시트

637재고 상태

컷 테이프

₩7,909.2

₩5,647.2

₩4,243.2

₩4,087.2

보기

릴

₩2,932.8

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

17 A

140 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

GaN

GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT190R70ILB
STMicroelectronics
1: ₩6,286.8
790재고 상태
신제품

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SGT190R70ILB

Mouser 부품 번호
511-SGT190R70ILB

신제품

STMicroelectronics

GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor

STMicroelectronics sgt powergan transistors 에 대해

데이터시트

790재고 상태

컷 테이프

₩6,286.8

₩3,198

₩2,901.6

₩2,386.8

릴

₩1,965.6

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

11.5 A

190 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

GaN

GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT240R70ILB
STMicroelectronics
1: ₩5,959.2
693재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SGT240R70ILB

Mouser 부품 번호
511-SGT240R70ILB

신제품

STMicroelectronics

GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

STMicroelectronics sgt powergan transistors 에 대해

데이터시트

693재고 상태

컷 테이프

₩5,959.2

₩3,010.8

₩2,730

릴

₩2,730

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1
최대: 100

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

700 V

10 A

240 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

GaN

GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT350R70GTK
STMicroelectronics
1: ₩4,368
552재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SGT350R70GTK

Mouser 부품 번호
511-SGT350R70GTK

신제품

STMicroelectronics

GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

STMicroelectronics sgt350r70gtk transistor 에 대해

데이터시트

552재고 상태

컷 테이프

₩4,368

₩2,152.8

₩1,934.4

₩1,553.8

릴

₩1,297.9

보기

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3

700 V

6 A

350 mOhms

- 1.4 V, + 7 V

2.5 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

47 W

Enhancement

GaN

GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT240R70ITK
STMicroelectronics
1: ₩4,477.2
2,500예상 2026-11-20
신제품

제조업체 부품 번호
SGT240R70ITK

Mouser 부품 번호
511-SGT240R70ITK

신제품

STMicroelectronics

GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor

STMicroelectronics sgt powergan transistors 에 대해

데이터시트

2,500예상 2026-11-20

컷 테이프

₩4,477.2

₩2,215.2

₩1,996.8

₩1,606.8

릴

₩1,338.5

보기

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-2

N-Channel

1 Channel

700 V

10 A

240 mOhms

- 6 V, + 7 V

2.5 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

77 W

Enhancement

GaN

GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT65R65AL
STMicroelectronics
3,000: ₩8,548.8
비재고 리드 타임 52 주

제조업체 부품 번호
SGT65R65AL

Mouser 부품 번호
511-SGT65R65AL

STMicroelectronics

GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

STMicroelectronics stm sgt65r65al transistors 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 52 주

릴

₩8,548.8

최소: 3,000
배수: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

65 mOhms

+ 6 V

1.8 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

GaN-on-Si

PowerGaN E-모드 G-HEMT™ 트랜지스터

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