|
|
GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT190R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩6,004
-
700재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT190R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
700재고 상태
|
|
|
₩6,004
|
|
|
₩4,195.2
|
|
|
₩3,146.4
|
|
|
₩2,796.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,325.6
|
|
|
₩2,751.2
|
|
|
₩2,325.6
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
11.5 A
|
190 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
2.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
83 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT105R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩9,956
-
695재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT105R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
695재고 상태
|
|
|
₩9,956
|
|
|
₩7,736.8
|
|
|
₩5,852
|
|
|
₩5,654.4
|
|
|
₩4,468.8
|
|
|
₩3,784.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
21.7 A
|
105 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
4.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
158 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
₩15,139.2
-
316재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT070R70HTO
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
316재고 상태
|
|
|
₩15,139.2
|
|
|
₩10,381.6
|
|
|
₩7,797.6
|
|
|
₩6,368.8
|
|
|
₩6,353.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-LL-11
|
|
|
700 V
|
26 A
|
70 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
8.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
231 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT080R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩10,412
-
684재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT080R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
684재고 상태
|
|
|
₩10,412
|
|
|
₩7,007.2
|
|
|
₩5,076.8
|
|
|
₩4,757.6
|
|
|
₩4,347.2
|
|
|
₩3,876
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
29 A
|
80 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
6.2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
188 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT350R70GTK
- STMicroelectronics
-
1:
₩4,256
-
719재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT350R70GTK
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
719재고 상태
|
|
|
₩4,256
|
|
|
₩2,751.2
|
|
|
₩1,884.8
|
|
|
₩1,513.9
|
|
|
₩1,264.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,415.1
|
|
|
₩1,155.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
DPAK-3
|
|
|
700 V
|
6 A
|
350 mOhms
|
- 1.4 V, + 7 V
|
2.5 V
|
1.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
47 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT140R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩7,539.2
-
1,000예상 2026-05-29
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT140R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
1,000예상 2026-05-29
|
|
|
₩7,539.2
|
|
|
₩5,274.4
|
|
|
₩3,952
|
|
|
₩3,511.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,918.4
|
|
|
₩3,450.4
|
|
|
₩2,918.4
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
17 A
|
140 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
3.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
113 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT240R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩5,882.4
-
1,000예상 2026-05-29
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT240R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
1,000예상 2026-05-29
|
|
|
₩5,882.4
|
|
|
₩4,073.6
|
|
|
₩3,085.6
|
|
|
₩2,705.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,249.6
|
|
|
₩2,660
|
|
|
₩2,249.6
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
10 A
|
240 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
76 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT65R65AL
- STMicroelectronics
-
3,000:
₩7,174.4
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
511-SGT65R65AL
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
25 A
|
65 mOhms
|
+ 6 V
|
1.8 V
|
5.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
305 W
|
|
|
대한민국