PowerGaN E-모드 G-HEMT™ 트랜지스터

STMicroelectronics PowerGaN E-모드 G-HEMT™ 트랜지스터는 고성능 향상 모드(일반적으로 오프) GaN 소자로, 까다로운 전력 변환 애플리케이션 전반에 걸쳐 매우 빠른 스위칭, 낮은 전도 손실 및 높은 전력 밀도를 제공하도록 설계되었습니다. 이 트랜지스터는 질화갈륨의 넓은 밴드갭 특성을 활용하여 극히 낮은 정전 용량, 최소한의 게이트 전하, 그리고 역회복 전하가 없는 특성을 구현하여 기존 실리콘 전력 스위치에 비해 탁월한 효율을 제공합니다.

결과: 8
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 700재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 637재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 700재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 689재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 337재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 675재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 637재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W