STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFET
STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFET는 항복 전압이 950~1,050V인 초고전압 고속 회복 다이오드입니다. DK5는 게이트 전하가 45nC로 매우 낮고, 역방향 회복 시간(trr)은 250ns(일반)입니다. 이러한 특징 덕분에 MDmesh DK5는 고출력 애플리케이션에서 ZVS LLC 공진 컨버터에 이상적입니다. 이러한 애플리케이션은 산업용 용접기, 플라즈마 발생기, 고주파 유도 용융/가열 및 X선 장비를 포함합니다. MDmesh DK5 MOSFET 시리즈는 0.12Ω(VGS = 10V, ID = 23A)의 낮은 온 저항(RDS(on))과 우수한 견고성 덕분에 하드 스위칭 토폴로지에도 이상적입니다. DK5는 롱 리드(long-lead) TO-247 및 ISOTOP 패키지를 포함한 폭넓은 범위의 스루홀 및 SMD 전력 패키지로 제공됩니다.
The MDmesh DK5 MOSFET series is also ideal for hard switching topologies thanks to the low on-resistance (RDS(on)) of 0.12Ω (VGS = 10V, ID = 23A ) and excellent ruggedness. The DK5 are available in a wide range of through-hole and SMD power packages including long-lead TO-247 and ISOTOP packages.
특징
- Fast-recovery body diode
- Best RDS(on) x area
- Low gate charge, input capacitance, and resistance
- 100% avalanche tested
- Extremely high dv/dt ruggedness
애플리케이션
- Switching applications
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게시일: 2017-06-14
| 갱신일: 2026-01-21