MDmesh DK5 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFET는 항복 전압이 950~1,050V인 초고전압 고속 회복 다이오드입니다. DK5는 게이트 전하가 45nC로 매우 낮고, 역방향 회복 시간(trr)은 250ns(일반)입니다. 이러한 특징 덕분에 MDmesh DK5는 고출력 애플리케이션에서 ZVS LLC 공진 컨버터에 이상적입니다. 이러한 애플리케이션은 산업용 용접기, 플라즈마 발생기, 고주파 유도 용융/가열 및 X선 장비를 포함합니다. MDmesh DK5 MOSFET 시리즈는 0.12Ω(VGS = 10V, ID = 23A)의 낮은 온 저항(RDS(on))과 우수한 견고성 덕분에 하드 스위칭 토폴로지에도 이상적입니다. DK5는 롱 리드(long-lead) TO-247 및 ISOTOP 패키지를 포함한 폭넓은 범위의 스루홀 및 SMD 전력 패키지로 제공됩니다.
자세히 알아보기

결과: 3
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장

STMicroelectronics MOSFET N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l
데이터시트
600재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
데이터시트
697재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
데이터시트
460재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 44 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 175 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube