ROHM Semiconductor RH7L04 60V N채널 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04 60V N채널 전력 MOSFET은 AEC-Q101 인증을 획득한 60V 드레인-소스 전압(VDSS) 및 ±40A 연속 드레인 전류(ID) 정격의 자동차 등급 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 낮은 드레인-소스 온 상태 저항[RDS(ON)]을 특징으로 하며, 3.3mm x 3.3mm DFN-8(DFN3333T8LSAB) 패키지로 제공됩니다. ROHM Semiconductor RH7L04 MOSFET은 ADAS(첨단 운전자 보조시스템), 정보, 조명 및 차체 애플리케이션에 이상적입니다.
특징
- 습식 플랭크 제품
- AEC-Q101 인증
- 100% 애버랜치(avalanche) 테스트 통과
애플리케이션
- ADAS
- 정보
- 조명
- 차체
사양
- 드레인 소스 온 상태 저항[RDS(ON)]
- RH7L04BBKFRA
- 6.4mΩ(최대)(VGS = 10V, ID = 20A)
- 9.9mΩ(최대)(VGS = 4.5V, ID = 10A)
- RH7L04CBKFRA
- 10.6mΩ(최대)(VGS = 10V, ID = 20A)
- 16.0mΩ(최대)(VGS = 4.5V, ID = 10A)
- RH7L04CBLFRA
- 10.6mΩ(최대)(VGS = 10V, ID = 20A)
- 14.8mΩ(최대)(VGS = 4.5V, ID = 10A)
- RH7L04BBKFRA
- 전력 손실(PD)
- RH7L04BBKFRA - 75 W
- RH7L04CBKFRA - 62 W
- RH7L04CBLFRA - 64 W
- 총 게이트 전하(Qg)
- RH7L04BBKFRA
- 21nC(표준)(VDD = 30V, ID = 10A, VGS = 10V)
- 105nC(표준)(VDD = 30V, ID = 10A, VGS = 4.5V)
- RH7L04CBKFRA
- 13.6nC(표준)(VDD = 30V, ID = 10A, VGS = 10V)
- 6.6nC(표준)(VDD = 30V, ID = 10A, VGS = 4.5V)
- RH7L04CBLFRA
- 13.6nC(표준)(VDD = 30V, ID = 10A, VGS = 10V)
- 6.6nC(표준)(VDD = 30V, ID = 10A, VGS = 6.0V)
- RH7L04BBKFRA
- +175°C 접합부 온도(Tj)
회로 선도
패키지 다이어그램
게시일: 2025-07-24
| 갱신일: 2025-08-19