RH7L04 60V N채널 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor RH7L04 60V N채널 전력 MOSFET은 AEC-Q101 인증을 획득한 60V 드레인-소스 전압(VDSS) 및 ±40A 연속 드레인 전류(ID) 정격의 자동차 등급 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 낮은 드레인-소스 온 상태 저항[RDS(ON)]을 특징으로 하며, 3.3mm x 3.3mm DFN-8(DFN3333T8LSAB) 패키지로 제공됩니다. ROHM Semiconductor RH7L04 MOSFET은 ADAS(첨단 운전자 보조시스템), 정보, 조명 및 차체 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 3
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
포장
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 60V
데이터시트
2,157재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 60V
데이터시트
2,996예상 2026-02-13
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 60V
데이터시트
3,000예상 2026-02-13
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape