ROHM Semiconductor 750V N-채널 SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N-채널 SiC MOSFET은 스위칭 주파수를 높여 커패시터, 리액터 및 기타 필요한 구성 요소의 부피를 줄일 수 있습니다. 이러한 SiC MOSFET은 TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, TO-247-4L 패키지로 제공됩니다. 이 장치의 정적 드레인-소스 온 상태 저항 [RDS(on)](일반) 정격은 13~65mΩ이며 연속 드레인(ID) 및 소스 전류(IS)(TC = 25°C)는 22~120A입니다. 이러한 ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET은 SiC 기술의 고유한 특성을 활용하여 높은 내전압, 낮은 온 상태 저항 및 고속 스위칭 특성을 제공합니다.

특징

  • 낮은 온-저항
  • 빠른 스위칭 속도
  • 빠른 역방향 회복
  • 간편한 병렬 연결
  • 간편한 구동
  • 무연 도금
  • RoHS 규격 준수
  • 수분 민감도 레벨(MSL) 1
  • AEC-Q101(AHR 접미사만 해당) 인증 획득

애플리케이션

  • 자동차(AHR 접미사만 해당)
  • 태양광 인버터
  • DC-DC 컨버터
  • SMPS(스위치 모드 전원 공급 장치)
  • UPS(무정전 전원 공급 장치)
  • 유도 가열
  • 에너지 저장 및 배터리 형성
  • 모터 드라이브

패키지

차트 - ROHM Semiconductor 750V N-채널 SiC MOSFET
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부품 번호 데이터시트 패키지/케이스 Rds On - 드레인 소스 저항 Id - 연속 드레인 전류 Pd - 전력 발산 Qg - 게이트 전하
SCT4013DRC15 SCT4013DRC15 데이터시트 TO-247-4 16.9 mOhms 105 A 312 W 170 nC
SCT4026DW7TL SCT4026DW7TL 데이터시트 TO-263-7 26 mOhms 51 A 150 W 94 nC
SCT4026DEC11 SCT4026DEC11 데이터시트 TO-247N-3 26 mOhms 56 A 176 W 94 nC
SCT4026DRC15 SCT4026DRC15 데이터시트 TO-247-4 26 mOhms 56 A 176 W 94 nC
SCT4045DW7TL SCT4045DW7TL 데이터시트 TO-263-7 59 mOhms 31 A 93 W 63 nC
SCT4013DLLTRDC SCT4013DLLTRDC 데이터시트 TOLL-9 120 A 405 W 170 nC
SCT4020DLLTRDC SCT4020DLLTRDC 데이터시트 TOLL-9 80 A 277 W 123 nC
SCT4036DEC11 SCT4036DEC11 데이터시트 TO-247N-3 47 mOhms 42 A 136 W 72 nC
SCT4036DRC15 SCT4036DRC15 데이터시트 TO-247-4L 47 mOhms 42 A 136 W 72 nC
SCT4036DWAHRTL SCT4036DWAHRTL 데이터시트 TO-263-7LA 47 mOhms 38 A 115 W 72 nC
게시일: 2025-10-08 | 갱신일: 2025-11-04