750V N-채널 SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N-채널 SiC MOSFET은 스위칭 주파수를 높여 커패시터, 리액터 및 기타 필요한 구성 요소의 부피를 줄일 수 있습니다. 이러한 SiC MOSFET은 TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, TO-247-4L 패키지로 제공됩니다. 이 장치의 정적 드레인-소스 온 상태 저항 [RDS(on)](일반) 정격은 13~65mΩ이며 연속 드레인(ID) 및 소스 전류(IS)(TC = 25°C)는 22~120A입니다. 이러한 ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET은 SiC 기술의 고유한 특성을 활용하여 높은 내전압, 낮은 온 상태 저항 및 고속 스위칭 특성을 제공합니다.

결과: 23
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC 402재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC 2,008재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC 635재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC 375재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC 1,946재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 120A SIC 1,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 V 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 80A SIC 500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 80 A 4.8 V 123 nC + 175 V 277 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 450재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 430재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive 700재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 750 V 38 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 26A SIC 784재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 26 A 4.8 V 48 nC + 175 V 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 61A SIC 100재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 61 A 4.8 V 94 nC + 175 V 214 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 37A SIC 8재고 상태
2,000예상 2026-07-17
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 V 133 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC 1,460재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC 3,032재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC 615재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 98A N-CH SIC 344재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC 588재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC 321재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 46A SIC
2,000예상 2026-07-16
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N Channel 1 Channel 750 V 46 A 4.8 V 72 nC + 175 V 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
450예상 2026-05-14
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
450예상 2026-05-14
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 750V, 45mO, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
1,000예상 2026-05-14
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement