Renesas Electronics RTDTTP4200W066A 질화갈륨 평가 보드
Renesas Electronics RTDTTP4200W066A 질화갈륨 평가 보드는 4.2kW 브리지리스 토템폴 역률 보정(PFC) 평가 보드로, 현재 Renesas Gen IV Plus SuperGaN® FET를 사용하여 고효율 단상 AC/DC 변환을 가능하게 합니다. Renesas Electronics TP65H030G4PWS는 역회복 전하가 낮은 다이오드가 없는 GaN(질화 갈륨) FET 브리지입니다.
특징
- 로우 라인 및 하이 라인 입력 토템폴 PFC 기능, 385VDC 출력으로 최대 4200W 지원
- 66 kHz 스위칭 주파수
- 고효율과 낮은 손실
- 최대 전력까지 냉각된 패키지 온도
- 과전류 및 과전압 보호
- 무연 사용 가능
애플리케이션
- 무브리지 토템폴 PFC
- 데이터 센터 전원장치
- 광범위한 산업용 전원장치
- 태양광 인버터
- 서보 모터
보드 레이아웃
관련 질화갈륨 FET
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FET
이러한 FET는 톨트 TO247 TOLL 패키지로 제공되며 Gen IV Plus SuperGaN® 플랫폼을 사용합니다.
게시일: 2025-08-06
| 갱신일: 2025-08-25